侵权投诉
当前位置:

OFweek电子工程网

功率设计

正文

IR新型车用MOSFET可减少50%引线电阻

导读: 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提高 30% 电流。

  全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提高 30% 电流。

  这款新型车用 MOSFET 系列适合需要低导通电阻 (Rds(on)) 的通用大负荷/高功率通孔应用,内燃机 (ICE) 汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用 IR 先进的硅和封装技术,在显著提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。

  在标准 TO-262 通孔封装中,除了 MOSFET 导通电阻,源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封装可将引线电阻降至不到 0.5 mΩ,大大减少了引线中的传导损耗和热量,在特定的工作温度下,比传统的 TO-262 封装的电流承载能力高30%。根据评估,在直流电为 40A 和 60A 的条件下,WideLead 引线温度比标准 TO-262分别低 30% 和 39%。此外,随着其它封装技术的提高,WideLead 比标准 TO-262 封装中的同等 MOSFET 少传输 20% 导通电阻。

  

  IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型 WideLead TO-262 封装的设计灵感来自于DirectFET 封装超低芯片自由阻抗的出色性能,以及传统 TO-262 封装的各种局限性。IR 新型 WideLead 封装中的 MOSFET 新系列在传输高电流的同时,大大降低了引线中的传导损耗和自身热量,从而为汽车应用提供了一个坚固可靠的解决方案。”

  所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。

  新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

  产品规格

声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: