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尔必达开发出全球最薄的DRAM 4块叠加仅0.8毫米

—— 超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度,增大其容量

导读: 日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布,已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM),4块叠加厚度仅为0.8毫米。

  日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布,已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM),4块叠加厚度仅为0.8毫米。

  超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度,增大其容量。制造成本则和目前厚度1毫米的DRAM相同。

  该DRAM将由秋田尔必达工厂生产,三季度开始出货。

 

 

--来源:中电网

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