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DRAM产业技术转型期成本下降趋势分析

—— 该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓

导读: 据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。

  据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。

  虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极,但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间,成本降幅从7.8%增大至14.2%,晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。

  IHS iSuppli公司的研究显示,但从第二季度开始,预计DRAM产业对于光刻工艺迁移的态度将不再那么积极,成本下降速度也将变慢。第二季度lithography reduction将下降到5.2%,第三季度下降到4.8%,第四季度降到3.7%。相应地,成本削减幅度也将在第二季度下降到12%,第三和第四季度分别降至9和4%,如图2所示。

  

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  确实,DRAM产业正在经历几种转变,例如许多供应商进行战略性调整,摆脱商品类DRAM;建立新的制造与代工联盟;继续向40纳米及更先进的工艺迁移。IHS公司认为,所有这些因素都将对供需关系产生影响,进而影响利润率和供应商的利润。

  令人意外的是,由于上一个繁荣周期利润率大幅上升,第一季度DRAM产业保持盈利状态。上一个繁荣周期始于2009年第二季度,持续到一年以后结束。尽管DRAM平均销售价格持续下降,但目前的周期符合历史形态,随着需求的起伏变化,芯片价格与DRAM厂商的利润也随之波动。

  尤其是,预期中的成本下降将来自技术变化,DRAM芯片将越来越多地采用新型光刻设备和技术制造。从2010年第四季度到今年第一季度,推动光刻工艺变化的主要厂商是Inotera和Rexchip,前者的平均光刻节点横跨至50纳米,而后者则前进到了40纳米。

  IHS iSuppli公司的研究显示,虽然DRAM成本下降可以来自光刻技术变化以外的其它因素,但那些额外考虑现在完全可以排除。其中一个因素是以扩大规模效益为目的的产能增长,该因素将受到限制,因为厂商将继续对专门用于产能扩张的资本支出保持谨慎。另一个因素是运营效率,由于以前及目前的疲软局面促使厂商的运营保持相对紧缩,该因素预计不会对未来的成本节省有太大影响。

  IHS的估计显示,随着向4x纳米的过渡明年彻底完成,成本下降势头将更加变弱。在2011年剩余时间内,每季度相对于光刻迁移的成本下降将达到6.5%,2012年缩窄到3.3%。随着光刻迁移势头在未来几个季度减弱,成本下降趋势将反映这种变化——现在强劲,2012年减弱。

 

  作者:Dee Nguyen

  IHS内存分析师

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