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晶片微缩脚步渐缓 偏离摩尔定律

导读: 半导体产业正在面临一项挑战,即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束,我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示,晶片微缩的路程愈来愈艰困了。

  半导体产业正在面临一项挑战,即每两年微缩晶片特征尺寸的周期已然结束,我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示,晶片微缩的路程愈来愈艰困了。

  1.晶圆代工厂量产32/28nm晶圆的周期延长到了三年左右。2009年,45/40nm晶圆占代工厂营收比重仅10%;而2012年第四季,32/28nm占代工厂营收比重也是10%。

  2.在32nm量产2年多以后,22nm的FinFET才宣布将迈入量产。FinFET是一项极具挑战性的技术。英特尔在这方面的研究相当卓越,但仍需克服许多挑战,才能支援新一代SoC所需的多阈值电压和多VDD位准。

  3.与28nm制程相比,下一代20nm平面CMOS将面临更多的容差控制挑战。这可能带来重大影响──20nm的每闸极成本将高于28nm。

  图1:每闸极成本

  由于每闸极成本很可能会升高,因此,在迈向下一代制程时要做的工作实际上还有很多,这会再延长设计完成的时间。另外,14nm世代的每闸极成本也可能比28nm来得高。

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