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Diodes MOSFET使电源超越“能源之星”效率

导读:  Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。

        Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。

       

  该控制器具备少于1mA的静态电流,并能以低至4.5V的电源电压运作,远胜于其他竞争对手的解决方案。此外,该控制器还能提供超越“能源之星”待机评级标准的反激式电源。

  ZXGD3105N8以SO8封装供应,可用于工业及消费性产品中的交流-直流与直流-直流内部及外部的电源供应器。同时,该控制器还能在高达500kHz的开关频率下运作,有助减小变压器的体积,从而实现更纤细的外形设计。

  该MOSFET控制器作为比例式闸极驱动器运作,可防止不必要的MOSFET关闭,并使MOSFET关闭传播延迟降低至15ns,从而减少反向电流,有助最大幅度地提升电源电路效率。

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