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蜂窝趋势引领工艺技术发展方向

导读: 业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用,但其它工艺技术也有很大的应用空间。

  业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用,但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期演进(LTE)等4G技术的发展,分立技术在通信领域中正变得越来越少见。事实上许多人相信,智能手机的普及敲响了手持通信产品中分立实现技术的丧钟。

  例如像iPhone这样的手持设备,消费者对更长电池使用时间、更强多媒体功能和小型体积等要求主导着产品的设计。用更少的芯片提供更强的性能和更多的功能意味着体积和成本方面的节省。除了集成更多的元件外,今天的半导体器件和集成电路(IC)必须提供更低的功耗、更方便的设计和合理的价格等优势。在基础设施方面同样是这个趋势,因为网络供应商希望在满足不断增长的数据业务同时,能利用“绿色”基站降低系统功耗。

  从TriQuint半导体公司的行动中也可以验证上述趋势来。该公司目前正在推进相对分立技术来说具有更高集成度的解决方案。“大功率GaNon-SiC的优秀性能已经得到了业界的广泛认可,”TriQuint公司商业代工营销部总监Mike Peters指出,“TriQuint的方法是提供完整的MMIC GaN工艺,这种工艺允许在这些更大功率应用中实现更完整的集成。另外,公司的TriPower系列RFIC在业界树立了新的性能标杆。采用系统性Doherty配置的两种TriQuint TG2H214120-FL 120W器件可以提供60多瓦的平均WCDMA功率和55%的集电极效率。TriPower器件也很容易通过传统的数字预失真(DPD)技术实现线性化。”

  为了满足正在发展的4G标准日益提高的带宽和调制复杂性和当前3G标准的扩增有关的要求,Peters认为需要采用新一代的工艺技术产品。“这将涉及到提高集成度、提高功率和效率以及降低系统成本。”他预计,“技术改进将深入化合物半导体(GaAs和GaN)以及诸如铜倒装芯片等封装技术中去。”

  工艺技术的持续发展确实在推动蜂窝通信的演进。举例来说,Peregrine半导体公司与IBM公司的合作成为前段时间的热门新闻。Peregrine公司的下一代UltraCMOS RF IC在经过充分认证后,将由IBM公司设在佛蒙特州伯林顿市的200mm晶圆半导体制造工厂采用两家公司联合开发的一种180nm工艺进行制造。最近,Peregrine还与绝缘硅(SOI)晶圆提供商Soitec公司联合开发了一种绑定型蓝宝石硅基板,用于RF IC制造。这种新基板的开发和大批量生产已经得到认证,可用于制造Peregrine公司的下一代STeP5 UltraCMOS RF IC。这两家公司能够将一层单晶质薄硅层运载并绑定到蓝宝石基板上。最终形成的绑定型硅层在晶体管迁移率和硅质量方面都好于使用外延生长型硅层的传统SOS晶圆。

  对Peregrine来说,新基板有望进一步改善RF IC性能、功能和外形尺寸,而且IC尺寸减小和性能增强的幅度可达30%。这种基板还有助于Peregrine公司继续保持其长期发展战略,即采用能够匹配体硅技术的良率和可扩展质量的基板技术实现更高集成度的射频前端(RFFE)IC解决方案。

  让我们再看看其它开发新闻。Cree公司在SiC技术方面迈出了一大步(图1)。前年8月,Cree公司展示了微管道密度不到10 micropipes/cm2的高质量150mm SiC基板。目前Cree公司使用100mm直径的SiC基板。SiC制造的产品可用于种类广泛的照明、功率和通信元件,包括用于无线通信的射频功率晶体管。而150mm SiC基板的推出不仅可以提高吞吐量,而且成本相应也有大幅降低。

  图1:生产操作员正在位于北卡罗来纳州研究三角园区的Cree公司先进器件洁净室设备前使用电子扫描显微镜(SEM)检查SiC晶圆

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