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台积电28nm制程 ARM A9芯片常态下达3.1GHz

导读: 台积公司3日宣布,采用28纳米高效能制程生产的ARM CortexTM-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3.1GHz。

  台积电采用28纳米制程生产的ARM CortexTM-A9测试芯片的处理速度超越3GHz;同时,台积公司28纳米高效能行动运算制程广泛支持行动消费及企业应用产品。

  台积公司3日宣布,采用28纳米高效能制程生产的ARM CortexTM-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3.1GHz。

  台积电系采用28纳米高效能行动运算制程(28nm High Performance Mobile Computing, 28HPM)实现此成果,提供高速与低漏电的解决方案。配合各种设计最后验证的要求,采用28纳米高效能行动运算制程生产的ARM A9处理器适用范围除了处理速度介于1.5GHz与2.0GHz之间的行动运算产品之外,并能支持高达3.1GHz的高效能运算产品。整体而言,28纳米高效能行动运算制程拥有高效能、低功率及低漏电的优势,可广泛支持网通、平板计算机及消费性行动电子产品的应用。

  台积公司研究发展副总经理侯永清表示,此颗高达3.1GHz的双核心处理器系采用28纳米高效能行动运算制程生产,在常态下,它的速度比40纳米同等级制程处理器快上两倍,这个结果具体证明了ARM公司与台积公司能够满足高效能运算的市场需求,配合其它的产品设计,28纳米高效能行动运算制程亦非常适用于各种强调效能且节能的产品。

  英商ARM公司处理器部门市场营销副总裁Jim Nicholas表示,台积公司28纳米高效能行动运算制程能广泛支持各项ARM先进处理器的产品,应用范围从高频率且具效能导向的行动运算产品延伸至要求低功耗的产品。

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