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中科院微电子所在多晶黑硅太阳能电池获重大突破

导读: 黑硅是一种低反射率的硅材料,和常规的硅材料相比它具有超强的吸收光线的能力,可用于太阳能电池产业。

  日前,中科院微电子所在多晶黑硅太阳能电池研究上获得重大突破。

  黑硅是一种低反射率的硅材料,和常规的硅材料相比它具有超强的吸收光线的能力,可用于太阳能电池产业。中科院微电子所微电子设备研究室(八室)夏洋研究员带领的研究团队,原创性提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入机(国家自然科学基金委、中科院装备项目、方向性项目支持)制备了多种微观结构的黑硅材料,在可见光波段黑硅的平均反射率为0.5%,与飞秒激光制备黑硅的反射率相当,同时该工艺适应大批量制备,成本低,生产效率高。其科研文章发表在SolarEnergy、EnergyProcedia、JournalofElectronSpectroscopyandRelatedPhenomena、物理学报等多家期刊上,已申请专利30余项。

  通过对黑硅结构进行优化,并且对生产线电池配套工艺进行改进,在全国产设备生产线研发出多晶黑硅太阳能电池(156mm×156mm,多晶)批量平均效率高达17.46%,最高可到17.65%。

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