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全球移动内存营收排名 三星半导体稳居龙头

导读: 在产品组合多样性、技术以及生产成本优势下,三星半导体第一季在行动式内存的销售一举拿下七成的市占率,自有品牌Galaxy贡献良多,约占三星行动式内存总产出的3成;韩系厂商在行动式内存的市占率于第一季突破八成,足见韩系厂商长期在行动式内存市场的布局与努力成效卓着

  根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查,DRAM厂积极研发,并提高行动式内存产能,不仅可望拉抬整体获利表现,亦可降低因标准型DRAM生产造成的亏损。第一季行动式内存平均销售单价滑落约10~15%,合约价降幅约10%,但由于出货位元成长约达20%,整体行动式内存营收较去年第四季成长约37%。TrendForce表示,除三星电子市占大幅扩大之外,其他厂家均受到降价影响而压缩整体行动式内存营收表现。

  三星半导体稳居龙头海力士全力冲刺缩小差距

  在产品组合多样性、技术以及生产成本优势下,三星半导体第一季在行动式内存的销售一举拿下七成的市占率,自有品牌Galaxy贡献良多,约占三星行动式内存总产出的3成;韩系厂商在行动式内存的市占率于第一季突破八成,足见韩系厂商长期在行动式内存市场的布局与努力成效卓着。三星今年开始在市场策略上,将更专注LPDDR2,以及高容量多芯片封装(MCP)生产,TrendForce认为这是三星在行动式内存营收领先对手的主因,下阶段三星将以深化客户对高容量LPDDR2的接受度为发展重点,做为下一波营收成长动力。同时,三星也积极在客户端推广应用于UltraBook的LPDDR3*16,虽然至今仍未通过JEDEC的认证规范,但若受到PCOEM厂商青睐,预计将更进一步扩大三星在行动式内存的市占率。

  SK海力士方面,本季行动式内存产品线营收与上季相当,随着38nm制程良率逐步提升,不仅生产成本降低,生产比例也逐步提升,且LPDDR24Gb颗粒已受客户验证完毕,后续在高容量LPDDR2的出货量将稳定增加,可望在第二季为获利表现加温。

  尔必达与美光连手抗敌可望发挥垂直整合之效

  虽然尔必达不断向客户承诺将持续出货,然而在财务问题尚未明朗化前,多数客户皆在备料计划上采取避险措施,以免其无预警减产或停产危及产线稳定,因此第一季尔必达在行动式内存市占率以及营收上均受到不小冲击,不过尔必达在LPDDR2产品的质量相当受到客户肯定,随着与美光合并后财务危机尘埃落定,后续表现可望逐步复苏。

  美光方面,伴随中国以及新兴市场对中低阶智能型手机需求强劲成长,低容量行动内存以及多芯片封装的产品线需求也随之提升。制程方面,美光积极转进30nm生产并提升良率,目前工程样品积极送测中。由于美光拥有NANDFlash及NORFlash产品搭配,因此其行动式内存产品配置多元且具弹性,尤其是多芯片封装MCP(4Gb+4GB),被广泛应用于中低阶智能型手机以及功能型手机,对于营收有相当大的帮助。未来若与尔必达在高容量行动式内存有进一步的合作,产品垂直整合优势将会更进一步拓展其在行动式内存市占率。

  台系厂市占仅2%南科押宝高容量行动式内存

  就南亚科技而言,在美光的技术支持下,南科在第二季已将30nm生产的行动式内存的工程样品送与多家客户测试,预估下半年将积极投入量产,以单芯片封装(Discrete)LPDDR2产品线切入行动式内存供货商的行列。华邦电子将在今年以自行开发的46nm制程生产LPDDR1256/512Mb行动式内存开拓商机,配合PseudoSRAM的产品线,可望扩大在功能型手机市场的市占率,逐步提升华邦电子行动式内存营收比重。
 

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