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恩智浦推出全球首款2mmx2mm 采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET

导读: 恩智浦半导体近日推出业内首款2mmx2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势,与传统无引脚封装相比,焊接连接质量更好

  恩智浦半导体近日推出业内首款2mmx2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势,与传统无引脚封装相比,焊接连接质量更好。

  即将面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30VN沟道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6(SOT1220)封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A,10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12mOhm(典型值)和16.5mOhm(典型值),因此导通损失小,功耗更低,电池使用寿命更长。

  新型DFN2020MOSFET高度仅为0.6毫米,比当今市场上大多数2mmx2mm的产品更加轻薄,是智能手机和平板电脑等便携应用设备中超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想之选。该款MOSFET还适用于其他空间受限应用,其中包括直流电机、服务器和网络通信以及LED照明,在这类应用中功率密度和效率尤为关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准SO8封装的八分之一,提供与其相当的热阻,能够代替具有相同导通电阻Rds(on)值范围的许多大型MOSFET封装,如SO8封装、3mmx3mm封装或TSSOP8封装。

  新型MOSFET提升了恩智浦超小型无引脚MOSFET产品线,截止到今年年末将有超过60种封装,封装尺寸为2mmx2mm或1mmx0.6mm。如今,恩智浦是超小型低导通电阻Rds(on)MOSFET的主要生产商,提供电平场效应晶体管(FET)和双极晶体管技术。

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