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应材推出关键离子注入技术 实现未来芯片微缩化生产

导读: 应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统,通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能,新型VIISta Trident系统是唯一一台被证明能够确保成品率,在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统。

  2012年6月7日,应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统,即全新的Applied Varian VIISta® Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能,新型VIISta Trident系统是唯一一台被证明能够确保成品率,在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统。

  在20纳米技术节点,优化掺杂物激活和减少扩展、源/漏结及接触区域的缺陷,成为阻碍高性能晶体管微缩化的重大挑战。VIISta Trident系统具有准确调整掺杂物浓度和深度分布的独特能力,对于先进器件的优化性能、控制漏电流和降低可变性至关重要。

  应用材料公司副总裁兼维利安产品事业部总经理Bob Halliday表示:“制造一枚常规先进逻辑芯片需要多达60个离子注入步骤,包括共同离子注入和精密材料改性应用,其中很多步骤对器件的性能至关重要。我们VIISta Trident技术的精准度是帮助客户实现尖端芯片设计可盈利成品率的关键。这一标杆性性能巩固了应用材料公司在为客户提供最先进晶体管制造解决方案方面的领导地位。如今,所有制造20纳米芯片的主要代工厂都在将我们的VIISta Trident系统作为首选设备使用。”

  Trident系统性能优越的关键在于其具有专利的双磁体带状光束架构,实现了增强型低能量性能。该系统的能量纯度模块几乎消除了会“玷污”关键晶体管通道并导致漏电流增加、性能降低的有害高能量成分。

  相匹配的低温技术可实现低至零下100°C的制造注入,提供晶体管间性能一致的卓越工艺控制。这对于制造在位缓冲存储器中的嵌入式SRAM单元尤其重要,在此,构成每个单元的6个或8个晶体管必须精确一致,才能在低工作电压下实现移动计算所需的可靠切换。

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