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首次探秘 三星48层3D闪存拆解:简直外星科技!

导读: 从CPU到GPU,从内存到显存再到闪存,各种芯片都在搞3D堆叠工艺,而堆叠最狠的,绝对是三星电子的3D V-NAND闪存。TechInsights最近拆解了三星最新的48层3D V-NAND,被其精湛的工艺彻底征服了。

  从CPU到GPU,从内存到显存再到闪存,各种芯片都在搞3D堆叠工艺,而堆叠最狠的,绝对是三星电子的3D V-NAND闪存。TechInsights最近拆解了三星最新的48层3D V-NAND,被其精湛的工艺彻底征服了。

三星48层3D闪存拆解:简直外星科技!

  拆解对象是三星最新的移动固态硬盘T3 2TB,应用了2015年8月份发布的3D V-NAND TLC闪存颗粒,每个晶粒(Die)的容量为256Gb(32GB),编号“K9AFGY8S0M”。

三星48层3D闪存拆解:简直外星科技!

  这块硬盘PCB的正反面安装了四颗闪存芯片,编号“K9DUB8S7M”,每颗容量512GB,内部封装了16个我们想要探索的48层堆叠3D V-NAND晶粒。

三星48层3D闪存拆解:简直外星科技!

  16颗晶粒相互堆叠以及采用传统线键合技术连接的封装横截面。 这些晶粒的厚度只有40微米,是迄今所见封装中最薄的,相比之下三星上代32层堆叠3D V-NAND中的晶粒厚度约为110微米。

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