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西数发布全球首个64层3D NAND内存技术

导读: 西数(Western Digital)公司28日宣布成功开发下一代3D NAND技术BiCS3,具有64层垂直储存功能。新技术产品将在位于日本四日市的合资晶圆厂进行试产,预计今年稍晚即开始正式生产。西数预估BiCS3在2017上半年开始商业量产。

  OFweek电子工程网讯:西数(Western Digital)公司28日宣布成功开发下一代3D NAND技术BiCS3,具有64层垂直储存功能。新技术产品将在位于日本四日市的合资晶圆厂进行试产,预计今年稍晚即开始正式生产。西数预估BiCS3在2017上半年开始商业量产。

  西数内存技术部门执行副总裁Siva Sivaram博士表示:“运用我们领先业界64层架构为基础,推出下一代3D NAND技术,将增强我们在NAND快闪技术的领导地位。BiCS3采用了3位(3-bits-per-cell)技术,并在高深宽比半导体处理上实现进展,能够以更优成本提供更高容量、出色效能,并具有更高的可靠度。加上BiCS2,我们的3D NAND产品组合将大幅扩充,提升了我们满足零售、移动与数据中心整体客户应用需求的能力。”

  西数发布全球首个64层3D NAND内存技术BiCS3是西数和其技术及制造伙伴Toshiba携手开发的结晶,初期将提供256gigabit容量规格,日后还会扩充至一颗芯片0.5 terabit的容量。西数预计BiCS3产品在2016年第四季向零售市场大量出货,本季开始向OEM厂商送样,上一代3DNAND技术的BiCS2仍会继续向零售与OEM客户供货。

西数64层3D NAND内存技术BiCS3

责任编辑:Alvin
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