当前位置:

OFweek电子工程网

工艺/制造

正文

半导体产业中重要一环 EUV光刻最新进展如何?

导读: 因为现在16/14nm节点时通常采用两次图形曝光技术,如果EUV成功量产,可以避免在10nm及以下时要采用三次或者四次图形曝光技术,成本上可大幅的节省。

  OFweek电子工程网讯 ASML宣称它的Q2收到4台EUV订单,预期明年EUV发货达10台以上。

  EUV光刻设备一再延迟,而最新消息可能在2020年时能进入量产,而非常可能应用在5nm节点。

  业界预测未来在1znm的存储器生产中可能会有2层或者以上层会采用它,及在最先进制程节点(7 or 5nm)的逻辑器件生产中可能会有6-9层会使用它。

  ASML计划2018年时它的EUV设备的产能再扩大一倍达到年产24台,每台售价约1亿美元,目前芯片制造商己经安装了8台,正在作各种测试。

  半导体顾问公司的分析师Robert Maire认为EUV真能应用于量产应该是大约在2020年,在5nm时。近期TSMC公布它的计划也是在5nm节点。

  Maire说英特尔可能会有不同的观点,它采用EUV设备在7nm,因为今年下半年它有可能进入10nm。

  因为现在16/14nm节点时通常采用两次图形曝光技术,如果EUV成功量产,可以避免在10nm及以下时要采用三次或者四次图形曝光技术,成本上可大幅的节省。

  从20nm节点开始要采用两次图形曝光技术,芯片制造商人为的把工艺节点分成两类,如20nm及10nm都是过渡节点,相对工艺寿命短,而28nm,16/14nm及7nm可能是长寿命节点。

  ASML的市场部总监Micheal Lercel说EUV系统量产需要安装250瓦光源,保证每小时125片,而现在的光源是125瓦,只能每小时85片,ASML正在实验室中研发210瓦光源。

  目前大于200瓦的EUV光源有两家供应商,分别是ASML的Cymer及Gigaphoton。两家供应商都认为未来500瓦光源有可能性。

  目前用于EUV掩膜保护的Pellicle只能承受125瓦的热负荷,离开250瓦的目标尚有一段距离。

  由于EUV光刻胶它的工作模式是采用反射的两次电子,不同通常的193nm光刻胶,因此尚需要突破。

  目前EUV光刻的成本非常接近于三次图形曝光技术。

  ASML希望它的EUV系统能有大於90%的uptime,但是目前在4周工作周期中它的uptine大於80%。

  设备从研发到量产有很大的差别。光源系统的可靠性要求十分高,即便系统工作在真空环境下要求每秒能击中50,000次融化的锡珠。因此新的光源体积很大,相比之前的准分子激光源更为复杂,它的尺寸如同电冰箱一样大,工作在洁净厂房中。

  截止目前为止,全球EUV光刻机的订单,英特尔有5台,带4台订单,台积电有5台,带2台订单,三星有3台,带3台订单,GF有1台,带1台订单,IMEC有2台,东芝与海力士各有1台及美光有1台订单。

责任编辑:Trista
免责声明: 本文仅代表作者个人观点,与 OFweek电子工程网 无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实, 对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅 作参考,并请自行核实相关内容。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: