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记忆体需求回春 SK海力士净利仍大减74%

导读: 台湾南亚科、华邦电等记忆体厂将在本周召开法说,而韩国记忆体大厂SK海力士26日先行登场,或能做为记忆体产业重要风向球。从SK海力士情况来看,DRAM与NAND Flash需求都有回升之势,但平均销售价格似乎还未能见起色。

  OFweek电子工程网讯:台湾南亚科、华邦电等记忆体厂将在本周召开法说,而韩国记忆体大厂SK海力士26日先行登场,或能做为记忆体产业重要风向球。从SK海力士情况来看,DRAM与NAND Flash需求都有回升之势,但平均销售价格似乎还未能见起色。

  SK海力士26日公布财年第二季财报,SK海力士第二季营收3.94万亿韩元,在需求回稳产品出货优于预期下季增8%,对比去年同期营收则衰退15%,但平均销售价格有所下滑,营业利润4,530亿韩元,季减19%、年减67%比砍半还惨,受到汇损等影响,净利2,860亿韩元,季减36%、年减高达74%。

  (Source:SK Hynix)

  记忆体需求回春,但在平均单价降低与汇兑损失下,未能反映在获利表现。SK海力士指出,DRAM与NAND Flash位元出货量都有所成长。受到智能手机需求强劲以及电脑记忆体复苏之下,DRAM位元成长18%,但平均销售单价(ASP)却也减了11%。NAND Flash在智能手机嵌入式记忆体、SSD等需求持续成长下,位元成长率大增52%,平均销售单价因产品价格下降与TLC产品单价较低,同样减少11%。

  NAND Flash与DRAM占营收比重也出现明显消长,DRAM在第一季占SK海力士营收76%,到了第二季减少5%至71%,而NAND Flash占营收比重则成长了5%至26%。

  (Source:SK Hynix)

  SK海力士强调将扩大在2Z纳米DRAM产品线以反应后续的需求,2Z纳米不只运用于公司PC DRAM出货,也适用于移动DRAM,官方预计将增加DDR4与LPDDR4的出货,估计在2016年末出货占比将来到总DRAM出货量的40%,而平面NAND Flash将推进到1Y纳米制程,业界正在竞逐的3D NAND Flash竞赛,SK海力士36层堆叠产品已经开始出货,48层堆叠的3D NAND Flash也将于今年下半问世。

  展望第三季,官方预估,在几家智能手机主要客户推出新机下,需求将大幅成长,第三季有望有较佳的表现,第三季DRAM出货量估计能有高个位数成长,NAND Flash更能略高于10%。

责任编辑:Alvin
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