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东芝拟于Q3生产64层3D NAND Flash 三星作何感想?

导读: 三星电子的3D NAND flash霸主宝座出现危机?三星是第一家开发出3D NAND flash业者,技术遥遥领先,不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后,情势一夕骤变,东芝即将超车三星,成为首家生产64层3D NAND flash的厂商。

  OFweek电子工程网讯:三星电子的3D NAND flash霸主宝座出现危机?三星是第一家开发出3D NAND flash业者,技术遥遥领先,不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后,情势一夕骤变,东芝即将超车三星,成为首家生产64层3D NAND flash的厂商。

  BusinessKorea 20日报道,2013年三星电子率先制造3D NAND,东芝直到今天春天才加入生产行列,不过却以光速追上对手,计划今年第三季生产全球首见的64层3D NAND flash,比三星快了一季。

  64层3D NAND flash极为重要,业界认为64层3D NAND flash的出现,代表平面NAND flash时代画上句点。3D NAND flash采垂直堆叠,可提高记忆体容量和速度,表现优于平面NAND flash。

  尽管东芝来势汹汹,半导体专家指出,东芝和三星仍有技术差距,两家公司最大不同在于控制闸(control gate)技术,三星采用TANOS、东芝使用SONOS。据称东芝的技术便于多层堆叠,但是缺点在于制程较为复杂、生产力较低。

  Thomson Reuters、时事通信社报道,东芝(Toshiba)统筹记忆体事业的副社长成毛康雄,7月6日在投资人说明会上表示,将强化3D Flash生产,目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。

  日经、韩国先驱报(Korea Herald)7月6日报道,未具名消息指称,东芝打算与西部数据(Western Digital)在未来三年携手,对3-D NAND Flash投资1.5万亿日元(相当于146亿美元)。根据双方协议,东芝、西部数据会在日本三重县四日市的现有合资厂房新增芯片制造设备,大多数的资金会用来安装3-D NAND的制造装置。

  韩联社7月12日报道,韩国三星电子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快闪记忆体(Flash Memoy)全球销售额创下历史新高,Q1三星NAND Flash销售额较去年同期成长3.1%至26.15亿美元,增幅是整体市场(成长1.6%)的近2倍水准,市占率也从前一季的42.0%上扬至42.6%。

  排名第二位东芝(Toshiba)市占率虽从24.0%大幅扬升至28.0%,不过与三星之间仍有高达14.6个百分点的差距;第三位为美国美光(Mircon)的18.8%、韩国SK海力士则以10.6%的市占率位居第4位。

 

责任编辑:Alvin
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