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DRAM止跌:重金投资3D NAND!SK海力士飙4%

导读: 韩国记忆体商SK海力士(SK Hynix)第二季营益创下13季新低,该公司出面喊话,称记忆体市场好转,价格回稳,下半年营运将有所改善。另外,该公司也拟砸下3万亿韩元(26亿美元),发展3D NAND flash。

  OFweek电子工程网讯:韩国记忆体商SK海力士(SK Hynix)第二季营益创下13季新低,该公司出面喊话,称记忆体市场好转,价格回稳,下半年营运将有所改善。另外,该公司也拟砸下3万亿韩元(26亿美元),发展3D NAND flash。

  韩媒etnews、BusinessKorea报道,DRAM价格连跌将近20个月,是SK海力士营益重挫的主因,但是DRAM供过于求的状况已逐渐好转。SK海力士董事长Kim Joon-ho表示,上季季末开始,DRAM过剩产能逐渐去化,Q3会持续改善。DRAM行销集团主管Park Rae-hak也说,Q2出货量大于产出,库存低于前季。

  不仅如此,DRAM价格出现止跌迹象,6月底DDR3 4GB DRAM的固定交易价为1.25美元,与前月持平。SK海力士表示,Q3是传统旺季,DRAM供给情况应更为好转,估计DRAM价格有望上涨。该公司也暗示,将确保获利,意味不会增产抢市占,下半年价格将可持稳。

  NAND Flash获利较高,SK海力士也积极抢攻,今年下半将投资3万亿韩元,主要用于研发3D NAND flash,估计明年研发经费也有30~35%用于NAND,目标明年底3D NAND flash产出占整体NAND的50%以上。

  台北时间27日下午1点48分,SK海力士大涨4.21%、报33,400韩元;若收在33,400韩元,将创2015年10月21日以来收盘新高。今年迄今SK海力士走高8.62%。

  韩国芯片厂商SK海力士26日公布2016年第2季财报:营收年减15%(季增8%)至3.941万亿韩元;受产品均价持续下滑的影响,营益年减67%(季减19%)至4,530亿韩元。SK Hynix下半年将增产2Znm DRAM、预估到今年底左右产量占比将升至40%。

  日经新闻20日报道,因中国大陆、中国台湾智能手机厂商纷纷强化产品功能、带动记忆体需求大增,加上三星电子西安工厂6月因附近变电厂爆炸而一度停工,带动使用于智能手机、记忆卡的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)交易价格转趋走扬,指标性产品6月份批发价在1个月期间内飙涨22%。

  报道指出,6月份MLC(Multi-Level Cell)类型64Gb NAND价格扬升至每个2.75美元、为2年9个月以来首度走升,其中也有部分交易价格超过3美元,7月价格仍持续走扬。

责任编辑:Alvin
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