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解析英特尔、台积电、三星14/16纳米制程差在哪?

导读: 讨论台积电、三星的技术节点数字恐怕做过美化的问题引起不小的关注,这样的问题其实在先前即为半导体业界所持续论战,并在苹果A9芯片门事件,iPhone 6s A9处理器分由台积电、三星代工时讨论来到最高峰,以实际情况而言,台积电、三星制程技术真的跟英特尔差很大?

  OFweek电子工程网讯:近日合作媒体《天下杂志》一篇《台积电真的超越英特尔?大客户这样吐槽……》讨论台积电、三星的技术节点数字恐怕做过美化的问题引起不小的关注,这样的问题其实在先前即为半导体业界所持续论战,并在苹果A9芯片门事件,iPhone 6s A9处理器分由台积电、三星代工时讨论来到最高峰,以实际情况而言,台积电、三星制程技术真的跟英特尔差很大?

  半导体三雄纳米制程到底在争什么?

  台积电、三星与英特尔的先进制程竞赛打得火热,在目前14/16纳米之后,制程战一路来到了10纳米。这些数字背后的意义其实指的是“线宽”,精确一点而言,就是金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的闸极长度(Gate Length)。

  场效电晶体用闸极来控制电流的通过与否,以代表0或1的数位讯号,也是整个结构中最细微、复杂的关键,当闸极可以缩小,电晶体体积也能跟着缩小,一来切换速度得以提升,每个芯片能塞入更多电晶体或缩小芯片体积;再者,当闸极长度愈小,闸极下方电子通道愈窄,之间的转换效率提升、能量的耗损也能降低,收减少耗电量之效,但当闸极太薄,源极与汲极距离愈靠近,电子也可能不小心偷溜过去产生漏电流,加以也有推动力不足的问题,这也是为何制程微缩难度愈来愈高;台积、英特尔与三星群雄间争的你死我活的原因。

  

  三者14/16制程节点数字都灌水?

  包含半导体芯片和系统还原工程与分析厂商ChipWorks、Techinsights与半导体分析厂商Linley Group都对台积电、三星、英特尔16/14纳米做过比较。

  从Linley Group与Techinsights实际分析的结果,包含英特尔、台积电与三星在14/16纳米实际线宽其实都没达到其所称的制程数字,根据两者的数据,台积电16纳米制程实际测量最小线宽是33纳米,16纳米FinFET Plus线宽则为30纳米,三星第一代14纳米是30纳米,14纳米FinFET是20纳米,英特尔14纳米制程在两家机构测量结果分别为20纳米跟24纳米。

  

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责任编辑:Alvin
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