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Intel:为什么手机这么热? 因为台积电和三星说谎了

导读: 据台积电透露,他们准备在2017年量产10nm工艺,一年之后即升级到7nm——相比之下,业界巨头Intel(英特尔)要到17年下半年才能小批量投产10nm,7nm更是遥遥无期。看起来,台积电甚至有望“超车”Intel?

  OFweek电子工程网讯 手机主控性能、发热与制造工艺之间的关联性“古已有之”,但真正引起人们的关注是从去年某个“旗舰主控”的悲剧开始的——“20nm”制程的骁龙810无论是性能还是功耗控制上都惨败于“14nm”制程的三星Exynos 7420,制造工艺上的区别第一次被如此大规模地摆在市场和消费者面前。

Intel:为什么手机这么热? 因为三星和台积电说谎了

  虽然一时落后于竞争对手,但连年市场占有率登顶的台积电对未来仍然充满希望——据台积电透露,他们准备在2017年量产10nm工艺,一年之后即升级到7nm——相比之下,业界巨头Intel(英特尔)要到17年下半年才能小批量投产10nm,7nm更是遥遥无期。看起来,台积电甚至有望“超车”Intel?

  然而,事实是,同为10nm,台积电的工艺和Intel完全不在一个水平上,更准确地说,台积电(还有他的好基友三星)在半导体制程的衡量方式上“说了谎”、导致最终的产品性能“被注水”!

  一次提问揭开的业界黑幕

  7月14日,在台积电的季度新闻发布会上,有分析师当场质疑台积电两年后的7nm工艺,要求台积电公布其与Intel 10nm工艺的性能对比——台积电的高层拒绝回答,但这一意外事件随即揭开了困扰业界、媒体多时的半导体工艺“数字魔术”问题。

  事实上,台积电的工艺夸大问题在客户群体当中早就不是秘密。有业内人士甚至指出,台积电目前量产的最尖端工艺──独吃苹果A10处理器的16纳米工艺,性能上仅相当于英特尔的20纳米工艺

  台积电大客户、世界最大IC设计公司高通首席技术官葛罗布(Matt Grob)被问到这个问题时,他毫不迟疑的大声说“没错!(YES)”。“这些晶圆代工业者都想办法把数字弄得愈小愈好,”葛罗布说。不只台积电,三星与格罗方德(原AMD旗下半导体工厂,现AMD主要代工厂)的工艺数字都存在不同程度的“水分”。

  三星领头造假,其他厂积极参与

  出现这种问题的根源在于各家都使用了有利于自己的测量方法——而不是一个业界统一的度量衡。据一位前台积主管向媒体透露,始作俑者是三星,而时间点则是在整个产业导入全新的鳍式场效应晶体管(FinFET)时,约在2、3年前。

Intel:为什么手机这么热? 因为三星和台积电说谎了

Intel、台积电和三星的“14nm”FinFET芯片内部结构尺寸对比(越小越好)

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责任编辑:Zack
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