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基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略

导读: 为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题,在分析了IGBT短路特性的基础上,提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制IGBT的短路电流和短路功耗,减小关断尖峰电压。

  OFweek电子工程网讯 为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题,在分析了IGBT短路特性的基础上,提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制IGBT的短路电流和短路功耗,减小关断尖峰电压。基于3 300 V/1 200 A IGBT模块的短路实验结果证明了该策略的有效性和可行性。

  IGBT是一种先进的功率开关器件,兼有GTR高电流密度、低饱和电压和高耐压的优点以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率、单极型电压驱动和低驱动功率的优点[1]。近年来,IGBT已经在汽车电子、机车牵引和新能源等各个领域获得广泛的应用。由于大功率IGBT模块通常工作在高压大电流的条件下,在系统运行的过程中,IGBT模块会出现短路损坏的问题,严重影响其应用。因此,IGBT短路检测与保护是其中的一项关键技术。而大功率IGBT模块的短路检测和保护方法,一般是使用VCE退饱和检测,再配合适当的软关断电路进行保护[2-3]。但使用VCE退饱和检测时,则需要较长时间(1~8 μs)的检测盲区和较高的集电极-发射极电压检测阈值。较长时间的检测盲区是为了防止IGBT在正常开通时进行误检测,但当IGBT发生一类短路时,集电极电流迅速上升,IGBT一直工作在线性区,较长的短路检测盲区时间不仅不利于限制IGBT的短路电流和功耗,而且可能导致IGBT短路超过其10 μs的安全工作时间而损坏。

  本文根据IGBT的短路特性和大功率IGBT模块的结构特点设计了一种新型大功率IGBT模块的短路检测电路,采用两级di/dt检测IGBT两类短路状态的实用方法。两级di/dt可在VCE的检测盲区时间内快速检测出一类短路故障和二类短路故障。本方案可有效减小IGBT短路工作时间,限制IGBT的短路电流和功耗,最佳保护IGBT模块。

  1、 IGBT短路的定义

  IGBT短路时的数学表达式见式(1),这个线性方程表示在短路发生时,电流的绝对值与电压、回路中的电感量及整个过程持续的时间有关系。绝大部分的短路,母线电压都是在额定点的,影响短路电流的因素主要是“短路回路中的电感量”。因此依据短路回路中的电感量,可将短路分为一类短路和二类短路。

基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略

  一类短路是指IGBT本身处于已经短路的负载回路中,短路回路中的电感量很小(100 nH级),比如桥臂直通。IGBT发生一类短路后的工作特性如图1(a)所示。当IGBT导通时,直流母线的所有电压都集中在IGBT上,集电极电流迅速上升,此时短路电流上升速率只由功率驱动电路决定,大功率IGBT模块的一类短路电流上升率有数kA/μs。由于短路回路中寄生电感的存在,其表现为集电极-发射极电压VCE小幅下降后又上升并短暂地超过母线电压,之后稳定在直流母线电压。门极电压在电流上升到最大值时会超过驱动电压,之后稳定在驱动电压。

  二类短路是指IGBT在导通状态下发生短路,这类短路回路中的电感量是不确定的(μH级),比如相间短路或相对地短路。IGBT发生二类短路后的工作特性如图1(b)所示。IGBT先工作在饱和区,在IGBT模块电流不断上升的同时VCE也随着升高,只是上升幅度极小不易观察到。当IGBT电流继续上升到一定值时,IGBT开始进入退饱和区,VCE快速上升并短暂地超过母线电压,最终稳定在直流母线电压。与一类短路相比,IGBT将受到更大的冲击。

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责任编辑:Zack
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