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三星推出高速Z-SSD方案 矛头直指XPoint

导读: 三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1 TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32 TB SSD利用64层3D NAND构建而成,即三星旗下的V-NAND品牌,同时配合TLC(即三层单元)设计。

Z-SSD实拍图

  OFweek电子工程网讯:闪存巨头再度发力:三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成,即三星旗下的V-NAND品牌,同时配合TLC(即三层单元)设计。

  64层 V-NAND

  64层TLC V-NAND最初公布于今年8月底,其能够提供超越当前256 Gbit 48层技术的存储容量。目前512 Gbit(64 GB)芯片已经完成,意味着其能够将SSD存储容量翻倍。三星方面指出,这套方案的IO速度为每秒800 Mbit。

  西部数据/东芝也拥有自己的64层3D NAND技术,名为BiCS,目前正处于实验性阶段,芯片容量为256 Gbit。

  三星方面可能会利用其64层V-NAND芯片打造一款8 TB且尺寸大于M.2的SSD产品。其物理尺寸为22毫米x 110毫米。在利用此款产品的情况下,企业级服务器能够在1U空间内实现256 TB NAND存储容量。标准的M.2尺寸则可能用于构建搭载同款芯片的三星4 TB产品。

  首款采用64层V-NAND芯片的产品预计将在2016年第四季度推出,据猜测其可能是一款采用BGA尺寸设计的平板型设备。

  32 TB SSD

  三星还将推出一款面向企业数据存储场景的2.5英寸SAS连接SSD产品,其中包含32个1 TB组件堆栈,每套堆栈由16个512 Gbit芯片堆叠而成。换句话来说,我们将迎来一款对分层式闪存芯片进行分层叠加的存储方案。

  三星公司目前的最高容量SSD产品为2.5英寸15.36 TB PM1633a。此款驱动器当中包含32套封装堆栈,每套堆栈容纳有512块256 Gbit 48层V-NAND芯片。此前的PM1633产品则采用32层128 Gbit芯片,总体容量为3.84 TB。

  这款32TB SSD将沿用512 Gbit芯片所采用的基础双层布局,其最终定名为PM1643,预计将于2017年年内发售。

  

  三星PM1643

  SSD容量宣传之战已然打响

  三星公司认为,其将能够在2020年推出100 TB SSD产品; 这可能代表着再进行两轮V-NAND技术升级,即将其2 Tbit芯片提升为128层结构--但这纯粹只是我们的猜测。

  希捷公司则公布了一款3.5英寸60 TB SSD产品,其可能塞进了1250块384 Gbit美光32层TLC芯片。

  东芝公司则在探讨利用QLC(即四层单元)闪存打造100 TB SSD的可能性。

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责任编辑:Alvin
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