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三星和海力士开始进行HBM3研发:单颗64GB

导读: 据消息称,三星和海力士正在为下一代HBM的研发做准备,虽然两家对下一代HBM的命名方式可能有些不同,但是基本可以肯定的是下一代的位宽将会翻一番,而单颗显存的容量有可能达到64GB。

  OFweek电子工程网讯:想当年HBM显存刚刚面世时,世人都被它512GB/s的位宽所折服,而搭载它的R9 NANO更是成为了众多玩家的一张神卡。第二代的HBM早前就在NVIDIA发布帕斯卡GP100显卡时就曾和我们见过面,不过当时只是展示而已。然而HBM2显存还没正式和我们见面,三星和海力士就为再下一代的研发做准备。

  三星HBM2显存

  海力士和三星共同在研发新一代的HBM显存,三星可能把新一代的HBM显存称为:xHBM或者ExtremeHBM,而海力士则把下一代的HBM显存称为:HBM3或者HBMx,不过无论怎么称呼新一代的HBM都无所谓,玩家们只关心它们的性能到底如何。

  目前HBM2每层的DRAM可以提供256GB/s的位宽,而未来的HBM3将会翻一番,每层DRAM将达到512GB/s。另外,据消息称新一代的HBM显存单颗容量有望达到64GB,不过按照目前的情况来看64GB可能更多的是给专业级显卡使用。最后令人兴奋的一点是,下一代的HBM显存有望把成本大幅度降低,届时玩家就能以更低的价格买到搭载更强显存的显卡了。

责任编辑:Alvin
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