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未来2年新一代内存技术产品:DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3来齐了

导读: 在今年的Hot Chip2016大会上,大家想看到的 DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继的展示在公众面前,可以说,这届大会上,内存技术的突飞猛进成为了科技媒体们争相报道的热点。而且这些新的标准和技术距离我们并不遥远,在未来2年时间就应该会陆续见到使用这些新一代技术的产品了。

  OFweek电子工程网讯 在今年的Hot Chip2016大会上,大家想看到的 DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继的展示在公众面前,可以说,这届大会上,内存技术的突飞猛进成为了科技媒体们争相报道的热点。而且这些新的标准和技术距离我们并不遥远,在未来2年时间就应该会陆续见到使用这些新一代技术的产品了。

未来2年新一代内存技术产品:DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3来齐了

  关于 DDR5内存,他们的设想是单条容量最小为8GB、最大容量为32GB(天啊!4插在32*4=128GB内存,现在看来有点逆天), 带宽最高为6.4Gbps,比DDR4足足提升了100%,但是在电压上则是维持了在1.1V,与DDR4持平,可以说设想DDR5的进步是历史上的第一次飞跃。

  而关于DDR5内存的量产,美光则计划在2019年开始,而三星则会在2018年就行动起来了(不能输!)。

未来2年新一代内存技术产品:DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3来齐了

  而关于 GDDR6显存则会向14Gbps冲击,相比于现在的GDDR5X 12Gbps、GDDR5 10Gbps还是有点看头的,而电压则是1.35V。

  而到了LPDDR5这一块,目测就要稍微等一等了,毕竟在它来临之前,还有一个属于过渡性质的LPDDR4X,而且美光、三星和海士力都有相关的规划,至于相比于LPDDR4有何不同,不同点就在于速度从原来的3733Mbps提高到4266Mbps,其余的电压则维持不变。

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责任编辑:Zack
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