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联电0.18微米BCD制程进入新里程碑

导读: 晶圆代工厂联电今宣布0.18微米双极-互补-扩散金氧半导体Bipolar CMOS DMOS (BCD) 制程技术平台已通过业界最严格的AEC-Q100 Grade-0 车用电子硅芯片验证。

  晶圆代工厂联电今宣布0.18微米双极-互补-扩散金氧半导体Bipolar CMOS DMOS (BCD) 制程技术平台已通过业界最严格的AEC-Q100 Grade-0 车用电子硅芯片验证。

  联电表示,上述制程方案包含符合车用标准的FDK及硅智财解决方案,可用于车用电子的应用芯片如电源管理芯片进行量产。成功通过车规验证的制程方案后,联电所制造的车用电子芯片即可满足用于高温环境下高可靠性车辆应用最严格的需求。这是继成功量产AEC-Q100 Grade-1规格标准之产品后,再创另一技术发展的新里程碑。

  联电企业营销资深副总简山杰表示:「车用电子的硅芯片含量,随着包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、信息娱乐系统及导航系统等电子组件持续演进而急遽攀升。大众近来对于排放减量与能源效率有更高的期待,进而推升更先进的电源电子科技与组件的需求。此类科技与组件需要更严格的AEC-Q100 Grade-0制造标准,才能符合高温、零缺失的需求。联电以其0.18微米 BCD 制程,成为少数符合 AEC-Q100 Grade 1 & 0 半导体产品规范的晶圆厂,我们盼望能协助更多晶圆厂客户进入蓬勃发展的车用芯片市场。」

  联电表示,该公司已成功挤身为车用芯片供货商之列,并为第一家通过 ISO 22301 营运持续管理认证的晶圆厂,同时实施全面性的「车用服务计划」,将零缺陷做法导入制程协助客户满足车用芯片的里程碑。此外,联电提供全面的 Grade-0 硅智财,包括已经过车用芯片产品中硅晶验证的标准组件库、SRAM、OTP/MTP/eFuse。这些由联电制造的芯片已获日本、欧洲、亚洲、美国等地的全球知名车厂广泛采用。

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