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半导体巨头台积电、三星、Intel下半年支出料激增9成

导读: 半导体业终于迎来支出旺季!据海外媒体报道,在台积电、三星电子与英特尔三巨头的带动下,今(2016)年下半年半导体业的资本支出有望较上半年跳增2成,2016年全球半导体资本支出将达671亿美元,较2015年的648亿美元增长3%。

  OFweek电子工程网讯:半导体业终于迎来支出旺季!据海外媒体报道,在台积电、三星电子与英特尔三巨头的带动下,今(2016)年下半年半导体业的资本支出有望较上半年跳增2成,2016年全球半导体资本支出将达671亿美元,较2015年的648亿美元增长3%。

  科技市调机构IC Insights 3日发表研究报告指出,今(2016)年全球半导体的资本支出虽然仅会年增3%、优于去年的2%年减率,但由于台积电、三星与英特尔都集中在下半年投资,因此下半年的资本支出总额有望较上半年跳增20%,而三巨头的支出成长率更将高达90%。相较之下,其他半导体业者下半年的资本支出却将比上半年萎缩16%。

  整体来看,台积电、三星与英特尔合计占整体半导体业支出额的45%,其中台积电上半年的支出只有34亿美元、下半年估计得支出66亿美元才能完成100亿美元的全年预算目标,等于是成长92%。

  三星上半年的资本支出也只达34亿美元,占今年总预算(110亿美元)的31%,估计下半年会比上半年跳增120%。英特尔上半年则仅支出36亿美元,估计下半年还要再花59亿美元,以达成95亿美元的全年度预算目标,等于下半年的支出比上半年高61%。

  下表为IC Insights预测的今年下半年半导体巨头的资本支出状况:

  台积电2016年有三大投资重点

  拓墣产业研究所认为,在上述半导体三巨头中台积电是唯一的纯晶圆代工厂,与客户无直接竞争关系,可专注于制程技术的开发。2016年台积电资本支出约70%用于先进制程的开发,其中大部分用在10纳米制程技术,可见台积电对10纳米制程研发的重视。

  台积电资本支出的10%则将持续投入InFO技术的开发;InFO技术有散热佳、厚度和面积缩小、成品稳定度高的优势,已有少数大客户开始投单,预期未来将有更多客户陆续投入。为了就近服务广大的中国市场,台积电规划30亿美元用于中国南京12吋厂的建置,预期在2018年投产。今年南京厂计划先投入5亿美元,2017与2018年将增加投资力道。

  三星2016年以半导体事业为重心

  智能手机是三星最重要的业务,在终端市场需求趋缓、手机差异化缩小的情况下,三星受到苹果(Apple)与中国品牌的激烈竞争。根据三星财报显示,2015年营收年衰退2.6%,净利下滑20.6%。相较智能手机,去年三星半导体营收年成长20%、存储器年成长17%,LSI业务年成长则约27.7%,表现十分亮眼。

  拓墣指出,2016年三星的智能手机业务拓展仍不乐观,除加速开发创新业务,将更加重视晶圆代工业务,采取积极抢单的策略。2016年三星115亿美元的资本支出中,LSI业务会维持与2015年35亿美元的相同水准。

  英特尔扩展存储器相关业务

  英特尔虽然在14/16纳米制程技术开发上领先,但台积电与三星若在10纳米的技术上赶超,将使英特尔在CPU产品上面临强大的竞争压力,严重挑战英特尔自1995年来的领先地位。2016年英特尔将持续扩大资本支出以维持制程领先,相关资本支出约达80亿美元。

  在资料中心的竞争中,2015年英特尔与美光(Micron)联合发表包含3D-NAND与Xpoint等用于存储器的技术,此外更宣布投资25亿美元把大连厂打造成存储器制造厂。估计2016年英特尔的资本支出中约有15亿美元将投资在存储器相关业务。

责任编辑:Alvin
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