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三星已实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存

导读: 在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠.。

  OFweek电子工程网讯 在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠.。

三星已实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存

  新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒(DIE)512Gb (64GB)的存储容量,单独晶粒数据传输速度可达100MB/S,三星预计能够在2016年第四季度试产基于新技术的存储产品。

  按此速度到2020年即可量产容量达100TB的SSD固态硬盘,三星已经计划将新技术率先应用到企业级SSD产品中,与32层(每层)1TB存储技术混合生产32TB的企业级SSD盘产品。其实不单止是SSD产品,三星的叠V-NAND 3D闪存堆叠技术适用于各个领域,当然也包括手机。这意味着今后手机的存储容量有望大幅增加。

责任编辑:Lxy
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