当前位置:

OFweek电子工程网

缓冲/存储技术

正文

储存技术不断演进 NAND Flash仅是开端

导读: 在进展缓慢的储存技术世界里,NANDFlash的普及速度算是极快,几乎每种储存产品都有其足迹,最主要原因就是速度。

  OFweek电子工程网讯 在进展缓慢的储存技术世界里,NANDFlash的普及速度算是极快,几乎每种储存产品都有其足迹,最主要原因就是速度。据报导,NANDFlash刚推出时是市场上最昂贵的储存装置,后来供应商发现只要加入相对小量的快闪存储器,便可以大幅提升效能以快闪存储器技术为基础的储存装置也开始大受欢迎。

  由美光(Micro)和英特尔(Intel)合作开发的3DXPoint技术,以及IBM根据相变化存储器(PhaseChangeMemory)修正后开发的新型态储存装置,在速度、耐用性和重复读写的次数的表现都比目前使用的NANDFlash更佳。

  3DXPoint开发人员表示,新储存装置的速度和耐用度可达到NANDFlash的1,000倍,IBM则表示其开发的PCM在读取和写入速度方面比NANDFlash快上数百倍,预计可进行1,000万次读取循环。

  虽然NANDFlash开创了固态硬碟(SSD)的时代,但在新技术不断出现的情况下,或许这只是挑战传统存储器和储存装置概念的开端而已。不论从哪一个角度来看,这些新技术都让NANDFlash看起来像是老旧技术。对于还在摸索NAND效能的使用者来说,很难想像这些数据代表的真正含意。

  这些新储存装置与SSD基本上完全不同,而且更接近可永久储存的存储器。两者之间的明显的差异也反映在名称上,外界将这些新装置称为储存级存储器(Storage-classmemory),听起来虽然奇怪,但也算是相当公正且适当的描述。

  SSD可以达成许多硬碟无法完成的事,而IBM、英特尔和美光开发的新技术,则宣称可以消除储存来源和存储器之间的界线。以效能来看,这些新兴技术允许存储器分层与扩张,除了可以增加存储器的处理能力与资源,还可减少伺服器自永久储存装置存取资料的次数。

  有趣的是,连传统硬碟(HDD)制造商也可受惠于SSD的普及,因为所有资料都必须有栖身之所。尽管近来推出的高容量NANDFlash装置可以满足需要,但是储存空间超大的硬碟还是有价格方面的优势。

责任编辑:Lxy
免责声明: 本文仅代表作者个人观点,与 OFweek电子工程网 无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实, 对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅 作参考,并请自行核实相关内容。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: