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强化体验:iPhone 6s存储性能大幅提升的背后

导读: 每一年,我们都希望移动设备的速度有大幅提升、同时能源效率也变得更高。

  OFweek电子工程网讯 每一年,我们都希望移动设备的速度有大幅提升、同时能源效率也变得更高。相信很人都会把关注点放在更快的处理器、更多的RAM、更大的内部存储、以及更高容量的电池上,但却忽略了某些不起眼的地方——比如存储性能。作为移动设备的“硬盘”,厂家似乎不愿多谈。但是对于较真的人们来说,热门Android手机和iPhone之间,又可以拉出多大的差距呢?

  

  外媒AnandTech特地对包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7 / S6 / S6 edge S5、小米Note Pro、华为P8 / Mate 8 / 荣耀5X、LG G4、Google Nexus 5X / 6P在内的十余款设备进行了磁盘性能测试。

  令人惊讶的是,在内部闪存顺序读写测试中,iPhone 6s Plus均远远高于其它Android竞争对手。

  

  持续写入测试中,排名前三的分别为iPhone 6s Plus(163.20 MB/s)、三星Galaxy S7(64.49 MB/s)、以及Galaxy S6 / S6 edge(并列40.69 MB/s)。

  在顺序读取测试中,排名前三的也是这几个,其中iPhone 6s Plus的成绩为402.35 MB/s、三星Galaxy S7为 233.27MB/s、Galaxy S6 / S6 edge并列 208.69MB/s。

  

  iPhone 6s之所以这么快(相较于iPhone 6),是因为苹果改变了内存的处理方式。根据AnandTech的详细所述,苹果选用了在MacBook SSD上创下惊人速度的主控,在将之改造后塞进了智能机中。

  此外,报道还提到iPhone 6s采用了定制NAND闪存和NVMe协议,而不是UFS或传统的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款机型,也都使用了相同的存储类型。

  在测试中,苹果的存储解决方案,轻松击败了搭载UFS 2.0闪存的Galaxy S6系列,即使后者已经算是相当快了。

  【补充】2月份的时候,三星宣布其UFS 2.0技术变得更快、容量也提升到了256GB —— 顺序读取可达850MB/s、持续写入也有260MB/s。

  遗憾的是,在AnandTech的测试中,该公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都没能打破iPhone 6s创下的记录。

  在本周举办的“2016移动与物联网论坛”上,三星提到了UFS存储对于4K/8K/VR内容的意义。Cho Hee-chang预计,到2020年的时候,联网设备数量会达到500亿左右。

  Galaxy S和Galaxy Note等产品上使用的UFS 2.0和UFS 2.1内置存储(其理论速度可达1.2GB/s),将于2018上半年提升至2.4GB/s。

  此外,三星还希望将UFS card v1.0(最新的microSD外置存储产品)的速度翻倍,从此前的600MB/s、提升到USF card v2.0的1.2GB/s。

责任编辑:Lxy
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