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东芝超车失败:三星年底前量产64层3D NAND

导读: 上周东芝及WD(西部数据)宣布,已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程,并将于2017年上半年开始量产,不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。

  OFweek电子工程网讯:上周东芝及WD(西部数据)宣布,已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程,并将于2017年上半年开始量产,不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道,三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND,三星表示,目标是今年生产4G V-NAND,可能意即为64层3D NAND。

  SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进,成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk),因此渗透率大增,各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体),大抢市占率,除了比市占更还要比技术。

  东芝(Toshiba)及WD于日前同时发布新闻稿宣布,已领先全球研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术,正式开始向客户送样,预计将透过本月7月完工的日本四日市工厂“新第 2 厂房”量产,量产时间都预计为2017年上半年。

  当时市场都解读NAND Flash龙头三星,因64层堆叠技术尚未有产出消息,因此认为将被东芝及WD超车,但根据韩国媒体《Electronics Weekly》报道,三星表示,预计将于今年底前量产4G V-NAND及18纳米制程的DRAM,目前进展顺利。

责任编辑:Alvin
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