当前位置:

OFweek电子工程网

缓冲/存储技术

正文

存储器市场市场空间巨大 巨头们都是如何布局的?

导读: 存储器广泛应用于计算机、消费电子、网络存储、物联网、国家安全等重要领域,是一种重要的、基础性的产品。2015年国内集成电路市场超过 10000 亿,其中存储器的市场总额(包括逻辑芯片中的存储器)超过 6100 亿元,市场空间巨大。

  OFweek电子工程网讯 存储器广泛应用于计算机、消费电子、网络存储、物联网、国家安全等重要领域,是一种重要的、基础性的产品。2015年国内集成电路市场超过 10000 亿,其中存储器的市场总额(包括逻辑芯片中的存储器)超过 6100 亿元,市场空间巨大。

  存储器领域的基本类型

  存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DRAM,电脑中的内存条。非易失性:断电以后,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要应用于代码存储介质中,而 NAND 则用于数据存储。在整个存储器芯片里面,主要有的三种产品是:DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

存储器市场空间超6000亿元 三星/美光/ST/IBM都有啥动作?

  DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断,占比达到 90%以上。从 Nand FLASH 市场来讲,2016 年第一季度,三星占了 35.1%,所占市场份额很大。整个存储器芯片里面,三星所占市场份额是最大的,目前在市场上主导地位的是闪存(flash memory)。当工艺线宽小于 16nm 的时候,传统闪存面临着一定的物理极限。主要的问题:1、可靠性问题。工艺线宽尺寸小于 16nm 时,厚度逐渐下降,可靠性存在问题,可靠性限制了存储器单层的厚度。2、当然那还有构造问题。3、擦写速度慢。4、有效的擦写次数。

  三星

  2008年基于90nm工艺制备512Mb相变存储器芯片; 2011年基于58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片;2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片;2014 年发布相变存储器的产业报告。

  三星在相变存储器领域的布局

存储器市场空间超6000亿元 三星/美光/ST/IBM都有啥动作?

  美光

  2009 年基于 45nm 工艺制备1Gb 相变存储器芯片; 2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD;2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产;2015 年联合 Intel发布 3D Xpoint。

  美光在相变存储器领域的布局

存储器市场空间超6000亿元 三星/美光/ST/IBM都有啥动作?

1  2  下一页>  
责任编辑:Zack
免责声明: 本文仅代表作者个人观点,与 OFweek电子工程网 无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实, 对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅 作参考,并请自行核实相关内容。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: