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传韩系DRAM厂晶圆报废 合约价酝酿调涨超过10%

导读: 日前再度传出,韩系半导体大厂21纳米DRAM制程有报废晶圆约3~5万片产能,市场一度传出是良率不佳导致,但业界透露,这次应该与良率无关,因为良率低不致于让全数产能都报废,应该是晶圆厂的产线出问题所致。

  全球DRAM大厂进行产能调整带动价格止跌反弹,日前再度传出韩系半导体大厂21纳米制程报废3~5万片,导致产能缺口再扩大,存储器大厂酝酿大手笔调涨合约价,4GB模组将从12.5美元调涨至14美元,涨幅超过10%,下游模组厂已闻风将现货价调高至13.5美元,然也象征存储器转进先进制程难度恐越来越高,让大陆有机会急起直追!

  全球DRAM产业朝三条脉络发展,第一是转进高阶制程速度直线前进,陆续转进18纳米、20纳米和21纳米制程技术;第二是持续朝产品多元化布局迈进,陆续分散在标准型存储器PC DRAM和低功耗移动式存储器LPDDR/Mobile RAM;第三是大陆存储器部落的崛起,对全球存储器产业埋下不确定因子。

  受惠苹果新款手机问世前备货,加上大陆中高阶智能型手机也消化不少货源,DRAM价格止跌反弹,带动现货价和合约价缓步调涨,这点让上半年财报亏损又全球大裁员的美光有喘一口气的机会。

  日前再度传出,韩系半导体大厂21纳米DRAM制程有报废晶圆约3~5万片产能,市场一度传出是良率不佳导致,但业界透露,这次应该与良率无关,因为良率低不致于让全数产能都报废,应该是晶圆厂的产线出问题所致。

  存储器业者表示,下游模组厂近日已闻风调涨DRAM现货价,部分4GB模组现货价已调高至13.5美元,而DRAM大厂也酝酿大涨合约价,目前4GB模组合约价约12.5美元,将调涨至14美元,换算涨幅超过10%。

  半导体业者分析,虽然现在是三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三大厂抗衡,但以市占率来看,根本是韩系业者的封闭式游戏,近期美光状况又不佳,等于是整个存储器产业配合的中、下游业者都必须看韩系业者脸色,让业者大叹生意越来越难做。

  因此,半导体产业各界对于大陆存储器势力的崛起,有着不同的解读。部分业者认为,台湾注定缺席主流NAND Flash芯片制造端,也必须承认在主流DRAM芯片生产端是无力回天,因此,大陆这股存储器技术势力的崛起,其实可以抗衡韩国势力的独大,台厂再从中找机会、卡商机。

  DRAM技术往高阶发展的速度相较逻辑制程缓慢许多,目前半导体大厂推动18纳米、20纳米和21纳米的高阶DRAM制程,也在研发1x和1y制程技术世代,但面临的挑战不少,导致技术制程演进一直在放缓,这也是让大陆存储器产业有时间追赶的原因之一。

  另外,大陆智能型手机百家争鸣,华为、OPPO、小米等品牌势力崛起,加上AR手机游戏大为盛行,都是消化Mobile RAM产能的一大市场。

  随着苹果新一代iPhone高阶版将推动至3GB DRAM容量,大陆品牌厂一向喜欢不计成本打规格战,未来的高阶机种也会跟进从2~3GB起跳,带动另一波Mobile RAM需求热潮,这也是上半年半导体厂陆续调整投片组合,提升Mobile RAM投片量的主因之一。

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