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3D NAND竞争加剧 英特尔/三星/美光等巨头近况如何?

导读: 三星存储器的领军人物金永南表示,该公司有近1000名的存储研发人员,一起共同工作己有约20年之久,共有480篇文章在Sciences and Nature等杂志发表及拥有130项专利。

  OFweek电子工程网讯 自2013年8月三星率先推出3D NAND以来,之后的每年都会前进一步,由24层、32层、48层到今年第四代的64层,以及2017年可能是80层。

  三星存储器的领军人物金永南表示,该公司有近1000名的存储研发人员,一起共同工作己有约20年之久,共有480篇文章在Sciences and Nature等杂志发表及拥有130项专利。

  有分析师预测,到2018年中期全球NAND闪存在3D堆叠技术的推动下,价格可能低到每Gb约3美分。

  3D NAND 制造关键工艺

  3D NAND的制造工艺十分复杂,以下把关键部分列出:

  High aspect ratio trenches(高深宽比的沟开挖)

  No doping on source or drain(在源与漏中不掺杂)

  Perfectly parallel walls(完全平行的侧壁)

  Tens of stairsteps(众多级的楼梯(台阶))

  Uniform layer across wafer(在整个硅片面上均匀的淀积层)

  Single-Litho stairstep(一步光刻楼梯成形)

  Hard mask etching(硬掩模付蚀)

  Processing inside of hole(通孔工艺)

  Deposition on hole sides(孔内壁淀积工艺)

  Polysilicon channels(多晶硅沟道)

  Charge trap storage(电荷俘获型存储)

  Etch through varying materials(各种不同材料的付蚀)

  Deposition of tens of layers(淀积众多层材料)

  3D NAND制造中的关键工艺如下图所示:

  

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责任编辑:Trista
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