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供不应求压力缓解 NAND Flash价格要走下坡路

导读: 由于上游芯片厂持续将产能移转生产3D NAND,导致2D架构NAND Flash产出量下滑,因此今年5月以来NAND Flash价格持续走高,不过8月以来因为价格涨高后开始压抑终端需求,因此NAND Flash缺货压力已获缓解。

  OFweek电子工程网讯 由于上游芯片厂持续将产能移转生产3D NAND,导致2D架构NAND Flash产出量下滑,因此今年5月以来NAND Flash价格持续走高,不过8月以来因为价格涨高后开始压抑终端需求,因此NAND Flash缺货压力已获缓解。然而以三星、美光、英特尔、东芝等业者的扩产计划来看,3D NAND产能将在明年大量开出,明年将是3D NAND杀戮战场。

  今年NAND Flash制程持续往10纳米进行微缩,但因物理极限问题已出现发展瓶颈,因此,NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND,但也因产能出现排挤,NAND Flash产出量明显减少,而3D NAND产出又十分有限。在制程及产品线世代交替的青黄不接情况下,正好遇到智能手机及固态硬盘(SSD)备货旺季,NAND Flash因此出现缺货问题,5月以来价格持续走高。

  据模组业者指出,美国品牌64Gb MLC规格NAND Flash现货价已涨到2.8~2.9美元,128Gb MLC规格NAND Flash现货价亦涨到3.8美元以上,5月以来平均涨幅介于8~14%。不过,由于NAND Flash涨价,带动eMMC/eMCP、存储器等终端价格大涨,8月以来价格涨高后已开始压抑终端需求,因此NAND Flash价格近期小幅走软,业界认为,供不应求压力已陆续获得缓解。

  在3D NAND的发展上,三星及东芝的进度最快,已经推出64层堆叠的3D NAND芯片,容量上看256~512Gb,而且在同样产线上,位元出货量可较NAND Flash成长3成左右。虽然3D NAND有助于NAND芯片厂成本下降,但是在所有NAND厂全数投入情况下,业界对明年3D NAND看法保守,价格战已难以避免,明年将是3D NAND杀戮战场。

  至今年底为止,各家存储器厂的3D NAND生产线将陆续进入量产,包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、东芝新建的Fab2、以及英特尔大连厂等。

  业界认为,智能手机的搭载容量已上看256GB,固态硬盘主流容量也上看512GB,加上资料中心开始采用NAND Flash储存阵列,NAND Flash市场的确仍有很大的成长空间,只是3D NAND明年产能大量开出后,终端市场要大量去化如此庞大的新产能,并不是件太容易的事,所以明年NAND Flash价格下滑风险已然大增。

责任编辑:Zack
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