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台积电晶圆代工领先英特尔1年!明后年独霸10、7纳米

导读: 台积电、英特尔在晶圆代工领域正面对决,英特尔在8月宣布跟设计手机、汽车芯片的安谋(ARM Holdings)敲定代工协议,看似跃进一大步,但分析人士认为,英特尔整体晶圆代工能力仍落后台积电一年之久,短期内难以对台积电造成实质威胁。

  OFweek电子工程网讯:台积电、英特尔在晶圆代工领域正面对决,英特尔在8月宣布跟设计手机、汽车芯片的安谋(ARM Holdings)敲定代工协议,看似跃进一大步,但分析人士认为,英特尔整体晶圆代工能力仍落后台积电一年之久,短期内难以对台积电造成实质威胁。

  美系外资发表研究报告指出,台积电在技术、处理ARM制程的能力、晶圆产能、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面,都比英特尔来得强势。虽然英特尔微处理器的科技、制程都较佳,但晶圆代工能力却落后微处理器制造技术至少两年,因此大概比台积电晚了一年左右。也就是说,英特尔短期内难以对台积电产生实质威胁。

  相较之下,台积电的10纳米、7纳米制程技术虽落后英特尔,但台积电比英特尔提前1-2年跨入7纳米制程,可借此缩短两家公司的差距。台积电在独家封装技术“整合型扇出型封装”(integrated fan-out,InFO)的协助下,有望在2017年、2018年霸占10纳米和7纳米晶圆代工市场。

  最新消息显示,台积电内部预估,7纳米最快明(2017)年4月就可开始接受客户下单。

  台积电研发单位已在内部会议中,揭露未来几年的最新研发蓝图,根据几名资深高层的说法,该公司今年底就会转换至10纳米,7纳米则会在明年试产、估计明年4月就可接单,而16纳米FinFET compact制程(FFC,比16FF+更精密)也将在今年导入。7纳米制程可大幅提升省电效能(时脉约3.8Ghz、核心电压(vcore)达1V),临界电压(threshold voltage)最低可达0.4V,适用温度约为150度。

  报道称,跟16FF+相较,10纳米FinFET制程可让芯片尺寸缩小50%、运算效能拉高50%、耗电量降低40%。相较之下,7纳米(采的应该是FinFET制程)的运算效能只能拉高15%、耗电量降低35%,电晶体密度增加163%,改善幅度远不如10纳米。这是因为,台积电的10纳米FinFET制程大约等同英特尔的14纳米,7纳米制程则大致跟英特尔的10纳米相当、甚至较逊。

  有报道称,台积电高层在本周的SEMICON Taiwan国际半导体展表示,7纳米制程有望在2018年Q1放量生产。台积电从2014年初开始投入7纳米制程研究,预定2017年上半进入风险生产(Risk Production),再过一年后量产,搭载7纳米芯片的消费产品应可同时上市。

 

责任编辑:Alvin
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