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环球晶半绝缘碳化硅晶圆/氮化镓元件开发计划获台湾补助

导读: 环球晶宣布,公司通过中国台湾经济部技术处A+企业创新研发淬链计划—“新世代通讯用之半绝缘碳化矽(S.I.-SiC)晶圆及氮化镓(GaN)元件的技术开发”,此补助计划为期三年,预计执行期间至2019年7月31日。

  OFweek电子工程网讯:环球晶宣布,公司通过中国台湾经济部技术处A+企业创新研发淬链计划—“新世代通讯用之半绝缘碳化矽(S.I.-SiC)晶圆及氮化镓(GaN)元件的技术开发”,此补助计划为期三年,预计执行期间至2019年7月31日。环球晶表示,透过经济部技术处A+企业创新研发淬链计划的协助,结合中国台湾地区产、官、学、研相互的合作,将可建立台湾在全球高频通讯上游原物料的供应链,未来将进一步结盟市场相关产业。

  环球晶指出,氮化镓结合半绝缘碳化矽是优越的化合物半导体技术,由于宽能隙及优越的热导特性,在高频功率元件的应用于极高功率仍保有稳定的特性;半绝缘碳化硅晶圆结合氮化镓高功率高电子迁移率功率电晶体的产品与技术已趋向民生应用,未来亦可配合前瞻工业的需求益更加深层应用。

  环球晶系以宽能隙材料氮化镓(GaN)成长在半绝缘之碳化矽(SiC)基板为主轴,目标为成功研发应用于射频(RF)用氮化镓功率电晶体,产品市场的应用为4.5G/5G基地台(L/S/C-band)等。环球晶表示,公司已投入相关前瞻研发超过5年,且已具备A级技术水平;预期经由本计划之执行,结合台湾相关通讯产业,将可促进高频高功率通讯产业链的完整发展,并提升台湾产业竞争力。

  公司也预期,此计划完成后,环球晶将可在全球碳化硅晶圆供应链上占有一席之地,开创台湾半绝缘性碳化矽基板市场的自主性,并提升台湾的国际竞争力。

 

责任编辑:Alvin
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