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三星主导调涨报价策略 DRAM厂商有望重掌号令

导读: 三星主导调涨DRAM报价策略奏效,全球市场研究机构TrendForce集邦科技最新DRAM现货报价连四天缓步上扬,主流DDR4 4Gb DRAM有机会向2美元叩关,也是近2个月来涨势最明确的半导体重要元件。

  OFweek电子工程网讯:三星主导调涨DRAM报价策略奏效,全球市场研究机构TrendForce集邦科技最新DRAM现货报价连四天缓步上扬,主流DDR4 4Gb DRAM有机会向2美元叩关,也是近2个月来涨势最明确的半导体重要元件。DRAM厂商包括南亚科、华邦、威刚及宇瞻等,可望重掌多头反攻号令。

  存储器渠道商表示,三星和SK海力士近期主导价格涨势态度积极,除8月调涨DRAM报价,第4季合约价也再涨一成,连同第3季合约价调涨15%,等于下半年涨幅约25%。

  2大韩系DRAM大厂的市占逾八成,主导DRAM涨价策略奏效,已激励现货报价连四天上扬,集邦最新DRAM报价,主导DDR4 4Gb DRAM单日最高价已达每颗2.2美元,虽然均价在1.86美元,但业者预期随买盘升温,很快会站稳2美元之上。

  至于应用于其他工控和网通及消费产品的DDR3 2Gb及4Gb DRAM,涨势虽未DDR4强势,但也呈现缓涨态势。

  渠道商分析,两大韩系业者涨价,三星希望能稳住获利,弥补Note 7回收的损失,各品牌手机为因应高解析影响处理和储存需求,新机搭载DRAM和NAND容量都大幅提升,也是“涨价有理”的关键。

  例如苹果iPhone 7的DRAM搭载量由2GB推升至3GB,部分非苹机种更至6GB,都以惊人的幅度成长,笔电厂和资料中心所需的伺服器存储器需求成长性更为惊人。

  第4季是欧美及亚洲零售旺季,包括感恩节、耶诞节及双十一光棍节等,各家厂商竞相备货抢食商机,韩系大厂在苹果等主要大厂已包下大部分产能,调升售价是希望借此要渠道端和委托制造代工大厂备货。

  韩系大厂将产能转向行动时记忆体和NAND,造成标准型DRAM缺货,近期标准型DRAM现货价回升,估计第4季涨势会以标准型DRAM最明显,涨幅恐逾一成、甚至可达15%;移动DRAM涨幅估计也会不小。

  集邦同时看好储存型快闪记忆体(NAND Flash)第4季涨势,主因3D NAND芯片制程推进不如预期,而各项终端产品已进入需求旺季。

责任编辑:Alvin
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