格罗方德推出12nm FD-SOI工艺并拓展FDX路线图

2016-09-09 08:36

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导读： 格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。

　　格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，12FDXTM提供全节点缩放和超低功耗，并通过软件控制实现按需定制性能，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。

　　随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件，这不断驱动着对超低功耗的需求。格罗方德半导体全新的12FDX工艺正是专为实现这前所未有的系统集成度、设计灵活性和功耗调节而设计。

　　12FDX为系统集成树立了全新标准，提供了一个将射频（RF）、模拟、嵌入式存储和高级逻辑整合到一个芯片的优化平台。此外，该工艺还通过软件控制晶体管实现按需提供峰值性能，同时平衡静态和动态功耗以取得顶级能效，实现业内最广泛的动态电压调节和无与伦比的设计灵活性。

　　格罗方德半导体首席执行官Sanjay Jha表示：“某些应用需要FinFET晶体管的高级性能，但大多数联网设备需要在性能和功耗之间实现更高的集成度和灵活性，同时还要求低于 FinFET的成本。格罗方德的22FDX和12FDX工艺为打造下一代智能系统提供了一条新路径，填补了行业路线图的空白。我们的FDX平台可大幅降低设计成本，重新打开了先进节点迁移的大门，并促进生态系统内的进一步创新。”

　　格罗方德半导体全新的12FDX工艺基于一个12nm全耗尽平面晶体管（FD-SOI）平台，能够以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。该平台支持全节点缩放，性能比现有FinFET工艺提升了15%，功耗降低了50%。

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