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GlobalFoundries 2018年试产7nm工艺 已跟AMD开始合作?

导读: GlobalFoundries决定跳过10nm工艺,直接推出性能更强的7nm FinFET工艺,今天GlobalFoundries首次公开7nm工艺进展,预计2018年开始试产,并且已经跟领先的伙伴开始合作了。

  OFweek电子工程网讯:作为AMD最倚重的代工合作伙伴,GlobalFoundries的工艺进展也会影响AMD的CPU/GPU发展。现在GF决定跳过10nm工艺,直接推出性能更强的7nm FinFET工艺,但在进度上,业界普遍认为GlobalFoundries速度要比三星、TSMC以及Intel更慢,他们2019年才会推出12nm FD-SOI工艺,7nm量产似乎更加遥远。但是今天GlobalFoundries首次公开7nm工艺进展,预计2018年开始试产,并且已经跟领先的伙伴开始合作了。

  GlobalFoundries此前在工艺研发上一直磕磕绊绊,FinFET工艺节点狠心放弃了自研的14nm-XM工艺,直接使用了三星的14nm FinFET授权,今年已经正式量产,为AMD代工了Polaris显卡,未来还会有Zen架构处理器,总算是稳定下来了,双方对彼此的合作还挺满意的,前不久才签署了未来五年的晶圆供货协议。

  14/16nm工艺之后是10nm节点,TSMC及三星都争着在今年底或者明年初推出10nm代工服务,Intel明年下半年量产10nm工艺,但GlobalFoundries决定跳过10nm节点,原因我们之前也分析过——相对来说,10nm工艺被认为是14/16nm工艺的优化版,跟20nm工艺那样偏向低功耗,属于过渡节点,而GlobalFoundries自己也经不起折腾,索性跳过这一节点,直接杀向未来高性能的7nm节点。

  问题是GlobalFoundries的7nm何时问世,毕竟TSMC和三星在7nm节点上也进展很快,双方都抢着在2018年推出新工艺,TSMC更是自信满满,认为自家7nm工艺在性能、功耗及核心面积上都要超过友商。现在GlobalFoundries官方总算透露了一点口风,表示将在纽约州的萨拉托加Fab 8工厂研发7nm工艺,预计2018年风险试产。

  GlobalFoundries还公布了7nm工艺的具体性能——与目前的16/14nm FinFET工艺相比,7nm工艺将带来两倍的晶体管密度提升,性能提升30%或者功耗降低60%。此外,GlobalFoundries表示7nm工艺可以再利用相当多的14nm半导体制造设备,还会继续使用目前的光刻机,不过保留未来使用EUV光刻机的能力——EUV工艺预计会在5nm节点正式启用。

  虽然2018年早些时候才会试产,不过2017年下半年客户就能开始产品设计了,这进度还是挺快的,只不过最终产品问世还要等很久,流片成功之后通常也会有一年半载时间才能上市,也就是2019年才有可能看到7nm产品。

  值得注意的是,GlobalFoundries已经跟领先的客户在Fab 8工厂合作7nm芯片原型了——虽然他们没公布是谁,但能跟GF合作最亲密的就是AMD了,早前也有消息爆料称AMD在准备7nm工艺的下一代服务器芯片,代号“星河舰队”(starship),48核96线程,比目前的Naples那不勒斯更强大。

责任编辑:Alvin
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