当前位置:

OFweek电子工程网

缓冲/存储技术

正文

富士通将推55nm工艺碳纳米管内存:比闪存快一千倍

导读: 作为曝光率最高的纳米技术之一,什么东西只要跟碳纳米管沾边马上就显得高大上了。

  OFweek电子工程网讯 作为曝光率最高的纳米技术之一,什么东西只要跟碳纳米管沾边马上就显得高大上了。日本富士通公司日前宣布与美国Mantero公司达成合作协议,双方将共同推进碳纳米管内存(NRAM)研发、制造,这种内存的速度号称是普通闪存的1000倍,预计2018年底正式推出产品,制程工艺是55nm的。

  富士通将推55nm工艺碳纳米管内存:比闪存快一千倍

  在纳米技术研究领域,碳纳米管(也叫富勒烯,简称CNT)是一种很独特的材料,直径只有人类头发的5万分之一,能导热导电,硬度是钢铁的50倍,话说小编学生时代就经常听到以碳纳米管为基础的各种高科技,包括各种神器的电池。在存储领域,碳纳米管通过硅基沉底也能实现0、1变化,因此也可以存储芯片,而且是非易失性的,断电也不会清除数据。

  富士通将推55nm工艺碳纳米管内存:比闪存快一千倍

  NRAM存储的优势

  相比普通闪存,NRAM存储芯片的优势太多了,读写速度是普通闪存的1000倍(Nanteo官网上说是1000倍,图表上是100倍),同时功耗更低,可靠性、耐用性更强,成本更低。

  Nantero这次与富士通合作,后者将把NRAM内存整合到自家芯片中,预计2018年底推出,制程工艺为55nm。

  不过话说回来,NRAM还是新技术,Nantero公司从2006年就说生产碳纳米管内存了,但是一直没什么进展。即便是跟富士通达成合作了,量产的NRAM芯片还是256Gb(32MB)大小的,容量还是太小了,只适合一些嵌入式领域。

  富士通将推55nm工艺碳纳米管内存:比闪存快一千倍

  富士通将推55nm工艺碳纳米管内存:比闪存快一千倍

责任编辑:Lxy
免责声明: 本文仅代表作者个人观点,与 OFweek电子工程网 无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实, 对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅 作参考,并请自行核实相关内容。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: