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世纪金光成功在SiC衬底上长出直径3英寸石墨烯

导读: 日前,北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果,首次利用SiC外延生长方法,在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料,为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础!

  OFweek电子工程网讯 日前,北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果,首次利用SiC外延生长方法,在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料,为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础!

  石墨烯是一种二维平面六边形蜂窝网状结构的单层碳原子薄膜,因其超高载流子迁移率、超高热导率、优异的等比缩小和有限的散射等优异特性,在高频电子器件、光电子器件及量子器件等诸多领域具有巨大的应用前景。

  世纪金光公司采用SiC外延法制成晶圆级石墨烯。SiC外延法是目前最具有发展优势和发展潜能的制备石墨烯的可靠方法。SiC外延制备的石墨烯能和主流CMOS工艺相兼容,无需进行衬底转移,可直接应用于电子器件研究。制成石墨烯材料的拉曼光谱中可清晰看到石墨烯的特征峰2D峰和G峰,缺陷峰D峰不明显,说明晶体质量良好。

  晶圆级石墨烯材料制备的突破,将满足新一代微纳电子器件的发展需求,促进我国新兴石墨烯产业化的快速发展,带动我国微纳电子、电力电子、新能源、新材料等相关产业链快速发展。

北京世纪金光成功在SiC衬底上长出直径3英寸石墨烯

北京世纪金光成功在SiC衬底上长出直径3英寸石墨烯

责任编辑:Zack
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