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驱动存储芯片行业重大变局—3D NAND FLASH 深度分析报告

导读: 存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据,2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中,NAND FLASH是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品,2015年营收达到267亿美元,占半导体存储器市场总额的32%。

  OFweek电子工程网讯:存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据,2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中,NAND FLASH是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品,2015年营收达到267亿美元,占半导体存储器市场总额的32%。

  近年来,为了适应小体积、大容量等市场需求,NAND FLASH制造技术向3D技术发展。3D NAND FLASH通过增加立体硅层的办法,既提高单位面积存储密度,又改善存储单元性能。3D NAND FLASH不仅能够增加容量,也可以将成本控制在较低水平。3D NAND比20纳米级产品的容量密度高,读写速度快,耗电量节省,采用3D NAND Flash存储器的固态硬盘(SSD)其电路板面积也较小。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。根据三星在SSD峰会所述,TLC V-NAND闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。

  目前3D NAND的堆栈层数为32-48层,厂商们正在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。2016年开始3D NAND FLASH将逐步对NAND FLASH进行替代。

  据SEMI数据,全球晶圆厂就支出成长率来看,最大成长动力来自3DNAND(包括3DXPoint)。2014年支出为18亿美元,到2015年倍增至36亿美元,成长幅度高达101%。2016年支出将再增加50%,上扬56亿美元以上。

  1 、三星领跑,差距有限,存在弯道超越机会

  1.1规模量产难度大,目前仅三星能规模量产

  NAND Flash领域霸主三星市占率稳定在31~35%左右,并拥有独家3DNAND Flash堆叠技术。

  三星在2013年8月宣布进入3D NAND量产,2014年第1季正式于西安工厂投产。就目前3D NAND Flash原厂投产情况来看,2016年只有三星能够实现48层3DNAND规模化量产。三星3DNAND每月产能约在2万~4万片之间,约占三星总体NAND产能的9~18%。

  图表1 2016Q1 主要原厂NAND FLASH 市场份额

  图表2 2015年Flash原厂厂能投产情况:仅三星能够规模量产3D NAND

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责任编辑:Alvin
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