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制程微缩产能损失大 明年下半DRAM将爆新行情?

导读: 年下半DRAM供给可能会供不应求,韩媒指出,存储器厂商转进20纳米制程的产能损失,或许会让DRAM陷入供给短缺,炒热行情。

  明年下半DRAM供给可能会供不应求,韩媒指出,存储器厂商转进20纳米制程的产能损失,或许会让DRAM陷入供给短缺,炒热行情。

  BusinessKorea 12日报道,半导体和投资银行的业界消息指出,2017年DRAM需求预料将年增19.3%,不过2017年DRAM每月产量将减少2万组,从当前的105万组、2017年降至103万组,主要是制程转换造成产能减少。不仅如此,产程转换的供给成长率以往大约是30%,2017年成长率可能减至10%,加剧供给不足问题。

  据了解,明年上半年是淡季,DRAM可能会略为供给过剩。不过随着美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)转进20纳米,产出减少;下半年传统旺季到来时,业者又未增加投资,DRAM将由供给过多变为供给不足。

  业界观察家预期,明年整体DRAM产品价格将下滑9.8%,DRAM成本减幅更大、约为18%,意味厂商仍有利润。

  有报道,DRAM存储器报价在今年第三季止跌回升,韩国三星、SK海力士等存储器大厂营收有望受惠。

  TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange最新报价显示,DDR3 4Gb颗粒现货均价八月涨2.99%,再前一个月更是弹升7.2%。DRAMeXchange指出,DRAM报价连两个月上涨,为近两年半来首见,让分析师进一步看好存储器后市展望。DDR4 4GB均价八月同步上涨3.7%。

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