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3D NAND竞争火热 三星成市场最大赢家

导读: 最近随着固态硬碟(SSD)采用3D NAND Flash出货比重越来越高,许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中,又以三星电子(Samsung Electronics)率先在这场竞争中获益最多,取得领先地位。

  OFweek电子工程网讯 最近随着固态硬碟(SSD)采用3D NAND Flash出货比重越来越高,许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中,又以三星电子(Samsung Electronics)率先在这场竞争中获益最多,取得领先地位。

  韩媒Energy经济报导,三星目前仍然是唯一量产第三代(48层堆叠)3D NAND的半导体厂商,三星计划从第4季开始生量第4代(64层堆叠)3D NAND,并搭载在像是32TB SSD等各式储存装置上,预计于2017年上市。

  市调机构IHS预期,如以数量为基准,企业用SSD产品中采用3D NAND的比重,将从2015年10%攀升到2018年的77%;同期消费者用产品也将从3%扩大到60%。换句话说,现在的NAND产品大多数都开始往3D NAND方向转换。

  韩国半导体业界认为,三星所拥有的3D NAND Flash技术力,至少领先竞争对手1年以上。其他的半导体厂商则是致力生产32~36层堆叠3D NAND。

  其中,东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)、美光与英特尔(Intel)各自在2015年3月、4月研发出48层堆叠3D NAND,不过皆要等到2016年底(东芝)或是2017年上半(英特尔)才计划投产。

  东芝为了要抢攻3D NAND市场,曾传出要在第3季量产64层堆叠3D NAND,不过至今尚未有投产消息。英特尔则是与美光合作,以年内量产64层堆叠3D NAND样品为目标,持续进行大规模投资,但分析预期,首家量产64层堆叠3D NAND应该仍是三星。

  SK海力士则是在2016年上半完成了48层堆叠3D NAND技术研发,预计年底投产。同时计划在2017年上半,以M14产线为中心,正式投资3D NAND设备,并将50%以上的NAND生产量转换为3D NAND。半导体业界认为,SK海力士将会在2017年后完成72层堆叠3D NAND Flash的研发。

  业界人士表示,完成技术研发和实际进行投产基本是两码子事情。就算研发出新技术,如果无法量产的话也没有用处。如果SK海力士真的能在年底开始供应第三世代3D NAND,可以看做是拥有超越东芝及美光的基础。

  值得注意的是,大陆企业也被认为是另外一波不可小觑的崛起势力。稍早7月底传出,紫光集团已依大陆当局指示收购武汉新芯(XMC)的多数股权,武汉新芯之前获大陆当局资助建设造价240亿美元的存储器制造中心。

  大陆当局试图借此打造更强大的存储器芯片公司,缩小与西方国家的技术差距。据悉,武汉新芯的技术力已经达到了可以初期量产32层堆叠3D NAND的程度。

责任编辑:Trista
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