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缓冲/存储技术

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深度解析RAM和ROM:你真的懂这些储存原件吗?

导读: ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关,衡量一块闪存和运存性能好坏的,只有两个指标:数据读写速度和容量。

  近期有媒体发文称,因为智能手机和固态硬盘的强劲需求,第四季度的NAND Flash闪存将比之以前处于更加严重的缺货状态,言外之意,闪存可能要涨价了!

  

  说到闪存,很多人都会想到运行内存和储存内存,关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉,但是对于产品性能同样非常重要的RAM(运行内存)和ROM(储存内存)相信就没有那么多人有很多了解了,今天的这篇文章,就先来说说储存内存的那些事。首先,和CPU等不一样,ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关,衡量一块闪存和运存性能好坏的,只有两个指标:数据读写速度和容量。

  3D NAND为闪存容量打了兴奋剂

  关于容量,首先需要强调,手机储存容量、固态硬盘(SSD)、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质,传统的储存介质还有机械硬盘(HHD),也就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失,可以作存储数据用。而所谓的RAM(运行内存)则是通过某种电容(DRAM、SRAM或RRAM)储存数据的,断电之后数据马上消失,但是数据吞吐速度及其迅速,这里不做深究。

  

  我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍,从以前的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB,所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s,但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍,再加上固态硬盘的价格持续走低,这种几年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家,需求量也大大增长,这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来,而3D NAND技术,就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。

  

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责任编辑:Alvin
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