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华米智能型手表采Sony FD-SOI制程芯片

导读: 尽管全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI)制程被提出已有一段时间,却迟迟没有一个使用FD-SOI制程的最终成品出现在市面上,因此也引起不少人对FD-SOI制程的疑虑。

  OFweek电子工程网讯 尽管全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI)制程被提出已有一段时间,却迟迟没有一个使用FD-SOI制程的最终成品出现在市面上,因此也引起不少人对FD-SOI制程的疑虑。然而就在大陆华米推出了使用Sony FD-SOI制程芯片的智能型手表后,业界也恢复了对FD-SOI制程的信心。

  据报导,华米推出的智能型手表Amazfit,使用了采28纳米FD-SOI制程的Sony GPS芯片。Amazfit最大的特点,便在于它长达5天的电池续航力,相当于GPS开启状态下35小时的时间。这除了证明了Sony的芯片技术,对FD-SOI制程拥护者而言,也是一项好消息。

  Soitec执行长Paul Boudre表示,业界一直对于FinFET、FD-SOI孰优孰劣争论不休,随著Amazfit的问世,这项讨论也可从理论进入到应用上的实际表现。

  在2016年的国际固态电路大会(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)上,Sony工程师针对其28纳米FD-SOI制程GNSS芯片技术,发表了一篇论文。文中提到了GNSS对于感测处理器的重要性,并指出GNSS适配器的高功耗是其难以使用在穿戴式装置上的主因。

  为了解决功问题,Sony发展出0.7V的FR电路,成功运用FD-SOI制程将GPS芯片的RF功率从6.3mW降低至1.5mW。这也让华米Amazfit的电池续航力较其它产品增加了2.5倍。

  Boudre指出,华米Amazfit的问世,将可能让大陆其它物联网、汽车、行动装置厂商考虑跟进使用FD-SOI制程芯片,大陆的无晶圆厂业者也可能开始可虑FD-SOI制程的芯片设计。在未来的12到18个月内,市场上或许将出现许多以FD-SOI制程为基础的大陆产品。同时有人预测,上海华力晶圆厂也将投入FD-SOI制程。

  除了大陆厂商,三星电子(Samsung Electronics)与GlobalFoundries目前正分别推动28纳米及22纳米的FD-SOI制程代工。FD-SOI制程的影响力几乎扩及了所有芯片厂商

  继22FDX后,GlobalFoundries计划推出12FDX的FD-SOI制程技术,据称能性能与10纳米FinFET制程类似,且功耗及成本都都于16纳米FinFET制程。

  Boudre指出,正在为FD-SOI制程规划长远技术蓝图的CEA-Leti,最近公布了10纳米FD-SOI制程「矽资料」(silicon data)。CEA-Leti已具备10纳米的FD-SOI制程的「建模资料」(modeling data)。

  有了飞思卡尔(Freescale)在FD-SOI制程的经验,恩智浦半导体(NXP Semiconductor)的FD-SOI能力有了大幅的提升。一旦高通(Qualcomm)收购了恩智浦,将可能在半导体产业产生影响甚钜的涟漪效应。

责任编辑:Trista
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