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英特尔/台积电/三星/GF 等半导体企业制程进度一览

导读: 随着智能硬件对芯片性能、功耗的要求提升,半导体制程的推进也更为令人关注,而在英特尔宣布进入ARM芯片代工市场后,晶圆代工行业战火再次升级。英特尔、台积电、三星、GlobalFoundries等半导体制造巨头在制程推进方面的部署也更受瞩目。

  OFweek电子工程网讯 随着智能硬件对芯片性能、功耗的要求提升,半导体制程的推进也更为令人关注,而在英特尔宣布进入ARM芯片代工市场后,晶圆代工行业战火再次升级。英特尔、台积电、三星、GlobalFoundries等半导体制造巨头在制程推进方面的部署也更受瞩目。

  晶圆是指硅半导体的集成电路制作所用的硅晶片,因为它的形状是圆形的,所以把它叫做晶圆,在硅晶片上可以加工制作成各种的电路元件的结构,而成为有特定电性功能的IC产品。而常说的XX nm指的是,CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度,也被称为栅长。

  台积电

  10nm:

  近日,媒体采访了台积电联合CEO刘德音,他表示按照计划来说10nm新品会与2017年第一季度出货,稍晚于三星,但是自家的技术会领先对手,所以不会担心。据报道,台积电目前已经完成10nm制程研发准备,将在今年年底正式将10nm投入量产阶段。据悉,10nm工艺下的芯片面积将比目前的16FF+减小50%,但性能提升50%,耗电减少40%。

  7nm:

  台积电7nm芯片的市场预计将于2017年第二季度开始,最终产品预计最早在2018年开始量产。台积电表示7nm工艺将主要用于需要高性能计算的移动产品,而根据以往经验,苹果将成为7nm工艺的主要客户。另外,台积电表示它们已经获得了新思科技的认证,即将开始测试7nm制程的移动芯片。

  5nm:

  台积电对于5nm技术开发,则从今年初开始进行,预计2019年上半年完成试产,与7nm技术演进维持二年差距。

  3nm:

  此前,台积电共同CEO刘德音在媒体采访中曾透露过3nm制程的进度,他表示,目前组织了300~400人的团队研发中。

  三星

  10nm:

  10月19日,三星电子正式宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片,三星也成为了业内首家大规模采用10nm工艺的厂商。据悉,三星目前的10nm工艺是10LPE,也就是早期低功耗版。

  三星对于10nm芯片如此解释——相比14nm工艺,10nm工艺制造的芯片性能提升27%,同时功耗降低达40%,并且10nm工艺允许每个晶圆多制造30%的芯片。

  7nm:

  至于7nm制程,三星表示将跳过一个采用目前浸润式微影技术的7nm节点版本,不过将会推出采用EUV的7nm节点,目标是在2018年底以前量产。

  英特尔

  10nm:

  今年初,Intel曾针对移动平台公布过处理器路线图,显示明年第三季度会发布10nm工艺的Cannon Lake处理器,N系列则会由Q3季度的Apollo Lake取代,而针对平板市场的14nm Cherry Trail则会被Q4季度的Broxton SoC处理器取代。

  英特尔CEO科再奇此前也曾宣布过,10nm的芯片可能要到2017年下半年才能面市。

  7nm:

  据相关消息称,Intel的7nm工艺将再延后两年到2022年量产。

  GlobalFoundries

  7nm:

  早前,GlobalFoundries公司CTO Gary Patton在接受采访时表示会取消10nm工艺,14nm FinFET工艺之后会直接上7nm工艺。

  9月份时,该公司已经自行开发了采用浸润式步进机的7nm制程,预计2018年量产。Globalfoundries一位发言人表示,浸润式7nm米制程将达到1,700万电晶体闸极/每平方mm的逻辑密度。

责任编辑:Trista
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