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厂商争相投资 3D NAND Flash前景不妙?

导读: SK海力士也准备生产3D NAND,仁川厂M14线无尘室正在装设仪器,估计第二代36层3D NAND可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND,估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。

  OFweek电子工程网讯 厂商争相投资,3D NAND Flash前景不妙?据传三星电子平泽厂(Pyeongtaek)将提前投产,SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)产能也将于明年下半全面开出,届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。

  BusinessKorea 6日报道,NAND需求爆发,据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月,改在明年三、四月开始生产第四代64层3D NAND。三星平泽厂完工,加上原本的华城(Hwaseong)厂,届时三星3D NAND产能将从当前水准提高两倍、至32万片。

  SK海力士也准备生产3D NAND,仁川厂M14线无尘室正在装设仪器,估计第二代36层3D NAND可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND,估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。

  与此同时,大陆厂商武汉新芯也打算砸下巨资打造新厂,该公司与美商Spansion共同研发3D NAND。日厂东芝则与Western Digital(西部数据)携手,准备量产3D NAND。

  韩媒etnews 4日报道,业界消息称,NAND Flash价格一路向上,三星决定平泽厂将提前三个月投产。目前平泽厂的建筑工事进入尾声,正修筑工厂外墙,预料12月完工,紧接着要开始设备投资,购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。

  多名设备业人士表示,三星若想在2017年初装设备仪器,现在就得下单,据称三星不久后就会开始发出订单。外界预料,平泽厂将名为18代线,明年第二季季初或季中开始营运,负责生产第四代64层3D NAND Flash。第一阶段每月产量为4~5万片12寸晶圆,约为18代线总产量的1/4(总产量为20万片)。估计第一阶段投资金额为27.2~31.7亿美元(181.4亿~211.4亿人民币)。

  韩国媒体朝鲜日报日文版报道,三星8月11日宣布,第4代V-NAND Flash(3D NAND)产品将在2016年Q4(10-12月)开卖,该款产品将采64层堆叠。三星指出,借由采用64层堆叠技术,每片晶圆的储存容量可较现行技术提高30%、能有效改善成本竞争力。

  三星为全球第一家量产3D NAND的厂商,于2013年研发出堆叠24层的3D NAND之后,就逐步将技术升级至32层、48层,此次则进一步提升至64层。

  东芝7月27日发布新闻稿宣布,已研发出堆叠64层的3D NAND制程技术,并自当日起领先全球同业开始进行样品出货,且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。

责任编辑:Trista
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