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2017年DRAM产业展望:供需依旧健康

导读: 9月DRAM、NAND Flash合约价报价续涨,第4季除了标准型DRAM涨幅超乎预期外,利基型存储器及Mobile DRAM报价较上季上涨5%,DRAM合约报价将出现全面性上涨,优于市场预期。

  OFweek电子工程网讯:9月DRAM、NAND Flash合约价报价续涨,第4季除了标准型DRAM涨幅超乎预期外,利基型存储器及Mobile DRAM报价较上季上涨5%,DRAM合约报价将出现全面性上涨,优于市场预期。永丰金证券投顾认为,利基型存储器报价上涨将有利于相关厂商营运表现,加上Micron合并华亚科已进入收尾阶段,成功收购机率大,南亚科将取得20nm以下制程技术授权有利于长期发展,预期2017年在供给成长减弱、需求稳定成长下,供需结构依旧健康。

  据全球市场研究机构TrendForce集邦科技资料显示,9月下旬DRAM模组合约报价较上月涨7~9%,8GB DDR4模组合约报价上涨至29美元,月增7.41%;4GB DDR4模组合约报价上涨至14.5美元,月增7.41%。8GB DDR3模组报价上涨至29美元,月增7.41%;4GB DDR3模组合约价上涨至14.5美元,月增7.41%;4Gb DDR3颗粒报价成长至1.5美元,月增8.7%;4Gb DDR4颗粒报价上涨至1.5美元,月增8.7%。

  供需面上也依旧吃紧,主要DRAM制造厂商包含三星、SK 海力士(SK Hynix)、美光(Micron)目前20nm制程占产出已提升至70%,年底将上看80%,除2017年三星将部分产能转进18nm制程外,SK 海力士及美光将停留在20nm制程,2017年三星、美光、SK海力士主要仍以持续转进20nm制程为主,bit growth将放缓。在需求端方面,由于Microsoft(微软)于7月底~8月初取消先前制定的授权费政策,微软先前在Windows 10新授权费上,要求根据不同屏幕尺寸、存储器容量、HDD/SSD规格收取不同授权费,因此PC ODM厂在第3季、第4季推出的新机种有拉高DRAM容量,搭载8GB容量比重拉升,加上第4季PC、Server、智能手机整体需求不弱,因此推升DRAM需求。

  因此DRAM Exchange预估第4季标准型DRAM合约报价将较上季涨超过20%,超乎市场预期,而第4季Server、Mobile及Specialty DRAM合约价各上涨5%,将呈现全面性上扬。2017年供给端bit growth年增率将放缓,需求面随着每台容量增加而稳定成长,预期2017年DRAM供需结构健康。9月NAND Flash合约报价续涨,主要是三星 Galaxy Note 7电池爆炸,Apple iPhone 7备货因此转向积极,且PC及渠道市场备货情况仍佳,9月2D NAND Flash仍有缺货的现象。展望第4季由于NAND Flash供需仍吃紧,预期合约报价仍将持续上涨。

 

责任编辑:Alvin
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