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VLT技术存多重优势 存储器之路何去何从?

导读: 现在,DRAM市场的破坏性创新来了。近日,DRAM IP提供商Kilopass公司宣布推出垂直分层晶闸管(VLT)技术,宣称有望颠覆目前的DRAM产业格局。

  OFweek电子工程网讯:《创新者的窘境》一书中指出,成熟企业总是能在一轮又一轮的延续性技术浪潮中保持领先,但往往在面临更为简单的破坏性创新技术时遭遇失败。在面对破坏性创新时,先进入市场的企业可以建立起巨大的先发优势,这就是创新者的窘境。现在,DRAM市场的破坏性创新来了。近日,DRAM IP提供商Kilopass公司宣布推出垂直分层晶闸管(VLT)技术,宣称有望颠覆目前的DRAM产业格局。

  DRAM需求转向云计算/服务器 面临制程升级及功耗难题

  来看看目前的DRAM市场吧。2015年全球DRAM市场为450亿美元,在总产值为3500亿美元的全球IC市场中的重要性不言自明。

  从市场需求来看,PC、手机等需求趋缓,新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。分析显示,今年DDR4 DRAM预估在整个服务器市场份额的比重将蹿升至八成。

  在制程方面,三强中三星、SK海力士、美光均已导入20nm制程,且三星业已成功导入18nm制程。但有分析显示,DRAM制程自2010年以来已放缓了步伐,因为DRAM是靠电容电位来记录其逻辑值的,而摩尔定律不包括电容,因而2017年SoC将在7nm工艺实现,3D NAND将实现64/96层堆叠,而DARM将停滞于1xnm工艺。

  这就带来了“阿琉克斯之踵”。Kilopass首席执行官Charlie Cheng指出,一是传统DRAM采用的存储单元结构是1个晶体管搭配一个电容器(1T1C)。受制于电容的尺寸和容量,DRAM的尺寸缩小再往下走非常困难。二是DRAM新的增长点将集中在云计算/服务器等领域,对DRAM有更严苛的功耗要求,传统的DRAM难以成全。

  Charlie Cheng解释说,因电容无可避免地有漏电现象而使电位下降,需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定。而工艺提升使得较小的晶体管带来更多的漏电流,且较小的电容拥有更少的电容量,这将导致两次刷新之间的间隔时间必须缩短。由于刷新周期频率的加快,16Gb的DDR DRAM中高达20%的原始带宽将丢失,这使CPU必须分担一部分性能来保持系统竞争力。这对于常年处于80度以上高温环境的服务器来说,是极大的负累。因而,DRAM市场迫切需要新的变革。

  VLT技术存多重优势 现可支持20nm节点量产

  为解决这一难题,业界也多方求索,如3D XPoint、磁变存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)和相变存储器(PCM)等,目标是实现具备低延迟与高使用寿命水平,又能够实现可扩展存储单元的新型方案,但究竟谁能胜出尚未定论。

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责任编辑:Alvin
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