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西数超车三星电子或点燃NAND价格战

导读: 全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作,打算超车三星电子,抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告,要是WD和东芝真的追上三星,三星可能会扩产淹没市场,重创NAND价格。

  全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作,打算超车三星电子,抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告,要是WD和东芝真的追上三星,三星可能会扩产淹没市场,重创NAND价格。

  巴伦(Barronˋs)11日报道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和东芝计划抢在三星之前,生产64层3D NAND flash,此举可能导致三星扩产还击。报告称,当前三星在业界握有主导权,将密切关注WD/闪迪(WD去年收购了闪迪)在第四季末的生产情况,决定64层3D NAND的增产速度。要是三星认为WD技术赶上,可能会快速增加3D NAND产能。

  报告指出,反讽的是,近期内东芝/闪迪64层技术发展缓慢,对业界较为有利。倘若WD迅速增产64层3D NAND,三星也会扩产迎击,这么一来,WD可能会流失企业固态硬盘(SSD)市占,SSD是NAND利润最高的市场,而且业界的价格压力也会大增。如今WD进退不得,不能放慢速度,以免对手追上,但是发展太快,又可能导致三星强力反击。

  三星是第一家开发出3D NAND Flash业者,技术遥遥领先,不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后,情势一夕骤变,东芝即将超车三星,成为首家生产64层3D NAND Flash的厂商。

  BusinessKorea 7月20日报道,2013年三星电子率先制造3D NAND,东芝直到今年春天才加入生产行列,不过却以光速追上对手,计划今年第三季生产全球首款的64层3D NAND Flash,比三星快了一季。

  64层3D NAND Flash极为重要,业界认为64层3D NAND Flash的出现,代表平面NAND Flash时代画上句点。3D NAND Flash采垂直堆叠,可提高存储器容量和速度,表现优于平面NAND Flash。

  厂商争相投资3D NAND Flash,令人忧心忡忡。据传三星电子平泽厂(Pyeongtaek)将提前投产,SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)产能也将于明年下半全面开出,届时3D NAND可能会从供不应求、沦为供给过剩。

  BusinessKorea 6日报道,NAND需求爆发,据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月,改在明年三、四月开始生产第四代64层3D NAND。三星平泽厂完工,加上原本的华城(Hwaseong)厂,届时三星3D NAND产能将从当前水准提高两倍、至32万片。

  SK海力士也准备生产3D NAND,仁川厂M14线无尘室正在装设仪器,估计第二代36层3D NAND可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND,估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。

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